STI形成CMP装置メーカー3社
STI形成CMP装置とは、Shallow Trench Isolation（浅溝素子分離）構造を形成するためのCMP装置です。シリコン基板に深さ300〜500nmの浅い溝（トレンチ）を掘り、SiO₂などの絶縁膜を堆積した後、CMPで余剰絶縁膜を除去してシリコン窒化膜（Si₃N₄ストップ層）面と同一高さに揃えます。FinFET・GAA構造のトランジスタ作製に必須の基礎工程で、素子間リーク電流の排除と微細化の両立に不可欠です。
主要特徴
よくある質問
STI（Shallow Trench Isolation）とは何ですか？▾
STI形成でセリアスラリーが使われる理由は何ですか？▾
STI CMPのエロージョンとは何ですか？▾
STI形成CMP装置の主要メーカーはどこですか？▾
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsReflexion LK Prime CMP | 荏原製作所F-REX300XA | 東京精密（Accretech）ChaMP332 |
|---|---|---|---|
| 対応ウェハ径 | 300 mm | 300 mm | 300 mm |
| 研磨部構成 | 研磨パッド 4・研磨ヘッド 6 | 標準機 F-REX300X の上位機種 | エアフロートヘッド「Sylphide」（面基準研磨） |
| 主要用途 | STI・層間絶縁膜の平坦化 | STI・層間絶縁膜の平坦化 | STI・層間絶縁膜の平坦化 |
| 洗浄・乾燥部 | 洗浄チャンバー 8・乾燥チャンバー 2 | 研磨・洗浄一体機 | — |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 研磨部構成 | 研磨パッド 4・研磨ヘッド 6 |
| 洗浄・乾燥部 | 洗浄チャンバー 8・乾燥チャンバー 2 |
| 主要用途 | STI・層間絶縁膜の平坦化 |
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 研磨部構成 | 標準機 F-REX300X の上位機種 |
| 洗浄・乾燥部 | 研磨・洗浄一体機 |
| 主要用途 | STI・層間絶縁膜の平坦化 |
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 研磨部構成 | エアフロートヘッド「Sylphide」（面基準研磨） |
| 主要用途 | STI・層間絶縁膜の平坦化 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
3社の主要メーカー
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
日本の精密計測・半導体製造装置メーカー。ウェーハプロービングシステムおよびダイシング装置で高い技術力を誇る。
- •ウェーハプローバーにおける高精度計測技術
- •ダイシングソーおよび研削装置の製造実績
CMP（化学機械研磨）装置と半導体製造用真空ポンプ・除害装置の大手。ポンプ・精密機械・環境事業を軸に、半導体製造インフラを幅広く支える。
- •CMPシステムで世界シェア上位。前工程の平坦化プロセスに不可欠
- •ドライ真空ポンプ・スクラバーでクリーンルームの排気・除害を担う
同じ分野の装置カテゴリ
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メーカー 4 社スラリー供給・回収装置スラリー供給・回収装置は、CMPで使う研磨スラリーを希釈・撹拌し、粒子を凝集させずに研磨定盤へ送り、使用後の液を回収・処理する設備です。
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