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STI形成CMP装置メーカー3社
STI形成CMP装置とは、Shallow Trench Isolation（浅溝素子分離）構造を形成するためのCMP装置です。シリコン基板に深さ300〜500nmの浅い溝（トレンチ）を掘り、SiO₂などの絶縁膜を堆積した後、CMPで余剰絶縁膜を除去してシリコン窒化膜（Si₃N₄ストップ層）面と同一高さに揃えます。FinFET・GAA構造のトランジスタ作製に必須の基礎工程で、素子間リーク電流の排除と微細化の両立に不可欠です。
メーカー 3 社関連カテゴリ 3 件
主要特徴
STI＝シリコンに浅い溝を掘りSiO₂で充填して素子間を電気的に分離する構造
CMP工程：CVDでSiO₂を堆積→酸化膜CMPでSi₃N₄ストップ層まで研磨
Si₃N₄ストップ層への選択比（SiO₂:Si₃N₄ > 30:1）が高いCeria（セリア）スラリーが主流
エロージョン（配線密集部の過剰研磨）をダミーパターン挿入とスラリー添加剤で抑制
FinFETのfin間・GAA構造のナノシート間の分離にも応用
よくある質問
メーカー
3社の主要メーカー
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関連用語
比較・違いを学ぶ
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