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酸化膜CMP装置メーカー3社

酸化膜CMP装置とは、SiO₂（二酸化ケイ素）やSiN（窒化ケイ素）などの絶縁膜をシリカ系スラリーと研磨パッドで選択的に研磨・平坦化する前工程装置です。STI（Shallow Trench Isolation：素子分離）形成後の絶縁膜平坦化、層間絶縁膜（ILD）の平坦化、PMD（Pre-Metal Dielectric）平坦化に用いられます。過研磨（オーバーポリッシュ）による下地シリコン露出を防ぐための選択比制御が重要で、スラリーの粒度・pH・添加剤が研磨特性を決定します。

メーカー 3 社関連カテゴリ 3 件

主要特徴

適用工程：STI絶縁膜平坦化・ILD（層間絶縁膜）・PMD（メタル前絶縁膜）

スラリー：シリカ（SiO₂）粒子＋KOH/アミン系pH調整剤。シリカ対Si選択比50:1以上を実現

エンドポイント検出：光学式（反射率変化）またはトルク監視でSi露出を防ぐ

STI CMPではエロージョン（配線密集部の過研磨）・ディッシング（溝中央の陥没）が課題

Applied Materials（Mirra Mesa）・Lam Research・東京精密が主要メーカー

よくある質問

酸化膜CMPとは何ですか？▾

酸化膜CMP（Oxide CMP）とは、シリコン酸化膜（SiO₂）や窒化膜（SiN）を化学機械研磨で除去・平坦化する工程です。STI形成後に堆積したSiO₂を研磨してシリコン表面と同一高さに揃えたり、多層配線間の絶縁膜を平坦化して次工程の露光精度を確保したりするために使われます。

STI形成でなぜCMPが必要ですか？▾

STI（Shallow Trench Isolation）はシリコン表面に浅い溝を掘りSiO₂で埋め戻して素子間を電気的に分離する構造です。SiO₂の埋め込み後は表面に凹凸があるため、CMPで平坦化してシリコン表面を露出させます。CMPなしでは後工程の露光・成膜・エッチングで精度が出ません。

酸化膜CMPのエンドポイントはどう検出しますか？▾

主に2種類の方式があります。①光学式（ISRM：In-Situ Reflectometry）：ウェハ表面に光を当て反射率変化で膜厚を監視、②モーター電流（トルク）監視：SiO₂とSiで研磨抵抗が異なるため電流変化で境界を検出。Applied MaterialsのMirraではODSS（Optical Detection System）が標準搭載されています。

酸化膜CMP装置の主要メーカーはどこですか？▾

Applied Materials（Mirra・Reflexion）とLam Research（Sabre/Speed）が世界シェアの約65%を二分します。東京精密（ACCRETECH）はアジア市場で強く、日本・韓国・台湾ファブでの採用が多いです。CMP装置市場全体はApplied Materialsが首位で約40%のシェアを持ちます。