酸化膜CMP装置メーカー3社
酸化膜CMP装置とは、SiO₂（二酸化ケイ素）やSiN（窒化ケイ素）などの絶縁膜をシリカ系スラリーと研磨パッドで選択的に研磨・平坦化する前工程装置です。STI（Shallow Trench Isolation：素子分離）形成後の絶縁膜平坦化、層間絶縁膜（ILD）の平坦化、PMD（Pre-Metal Dielectric）平坦化に用いられます。過研磨（オーバーポリッシュ）による下地シリコン露出を防ぐための選択比制御が重要で、スラリーの粒度・pH・添加剤が研磨特性を決定します。
主要特徴
よくある質問
酸化膜CMPとは何ですか？▾
STI形成でなぜCMPが必要ですか？▾
酸化膜CMPのエンドポイントはどう検出しますか？▾
酸化膜CMP装置の主要メーカーはどこですか？▾
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsReflexion LK Prime CMP | Applied MaterialsMirra® CMP 200mm | 荏原製作所F-REX300XA | 東京精密（Accretech）ChaMP332 |
|---|---|---|---|---|
| 対応ウェハ径 | 300 mm | 150／200 mm | 300 mm | 300 mm |
| 主要用途 | 2ステップCMP・3D NAND向け平坦化 | — | STI・層間絶縁膜の平坦化 | STI・層間絶縁膜の平坦化 |
| シリーズ構成 | — | — | F-REX300XA／F-REX300X／F-REX200M2（200 mm） | ChaMP332（300 mm）／ChaMP232（200 mm）／ChaMP211（小型機） |
1機種だけが掲載している項目（9件）
| 研磨部構成 | 研磨パッド 4・研磨ヘッド 6 | — | — | — |
|---|---|---|---|---|
| 洗浄・乾燥部 | 洗浄チャンバー 8・乾燥チャンバー 2 | — | — | — |
| 処理モード | 逐次／並列／バッチを選択可能 | — | — | — |
| 研磨対象 | — | Si・STI 酸化膜・ポリシリコン・W・Cu・SiC（Durum） | — | — |
| 洗浄 | — | Mesa クリーナー・Desica クリーナー（マランゴニ乾燥） | — | — |
| 位置づけ | — | — | 標準機 F-REX300X の上位機種 | — |
| 特徴 | — | — | 高効率搬送機構・WPH最適化アルゴリズム | — |
| 研磨ヘッド | — | — | — | エアフロートヘッド「Sylphide」 |
| 加圧方式 | — | — | — | エア膜による均一加圧（面基準研磨） |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
Reflexion LK Prime CMP
2ステップCMPに最適化された300mm向けCMPプラットフォーム。研磨・洗浄モジュールを増やし、Reflexion LK CMPに対して処理能力を高めた上位機種。
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 研磨部構成 | 研磨パッド 4・研磨ヘッド 6 |
| 洗浄・乾燥部 | 洗浄チャンバー 8・乾燥チャンバー 2 |
| 処理モード | 逐次／並列／バッチを選択可能 |
| 主要用途 | 2ステップCMP・3D NAND向け平坦化 |
| 対応ウェハ径 | 150／200 mm |
| 研磨対象 | Si・STI 酸化膜・ポリシリコン・W・Cu・SiC（Durum） |
| 洗浄 | Mesa クリーナー・Desica クリーナー（マランゴニ乾燥） |
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 位置づけ | 標準機 F-REX300X の上位機種 |
| 特徴 | 高効率搬送機構・WPH最適化アルゴリズム |
| シリーズ構成 | F-REX300XA／F-REX300X／F-REX200M2（200 mm） |
| 主要用途 | STI・層間絶縁膜の平坦化 |
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 研磨ヘッド | エアフロートヘッド「Sylphide」 |
| 加圧方式 | エア膜による均一加圧（面基準研磨） |
| シリーズ構成 | ChaMP332（300 mm）／ChaMP232（200 mm）／ChaMP211（小型機） |
| 主要用途 | STI・層間絶縁膜の平坦化 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
3社の主要メーカー
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
CMP（化学機械研磨）装置と半導体製造用真空ポンプ・除害装置の大手。ポンプ・精密機械・環境事業を軸に、半導体製造インフラを幅広く支える。
- •CMPシステムで世界シェア上位。前工程の平坦化プロセスに不可欠
- •ドライ真空ポンプ・スクラバーでクリーンルームの排気・除害を担う
日本の精密計測・半導体製造装置メーカー。ウェーハプロービングシステムおよびダイシング装置で高い技術力を誇る。
- •ウェーハプローバーにおける高精度計測技術
- •ダイシングソーおよび研削装置の製造実績
同じ分野の装置カテゴリ
金属CMP装置とは、銅（Cu）・タングステン（W）・コバルト（Co）などの金属配線材料を選択的に研磨・平坦化するCMP装置です。
メーカー 3 社パッドコンディショナーパッドコンディショナー（研磨パッド再生装置）とは、CMP研磨パッドの表面を常時再生（コンディショニング）してグレージング（目詰まり）を防ぎ、安定した研磨速度を維持する装置・部品です。
メーカー 4 社CMP後洗浄装置CMP後洗浄装置は、研磨直後のウェハに残るスラリー粒子・研磨屑・金属イオンを除去する専用の洗浄装置です。
メーカー 4 社STI形成CMP装置STI形成CMP装置とは、Shallow Trench Isolation（浅溝素子分離）構造を形成するためのCMP装置です。
メーカー 3 社スラリー供給・回収装置スラリー供給・回収装置は、CMPで使う研磨スラリーを希釈・撹拌し、粒子を凝集させずに研磨定盤へ送り、使用後の液を回収・処理する設備です。
メーカー 3 社