単結晶製造装置（CZ/FZ引上げ）メーカー3社
単結晶製造装置は、多結晶シリコン原料を融解し、種結晶から無欠陥の単結晶インゴットを成長させる装置です。代表的なチョクラルスキー法（CZ法）は石英ルツボ内の融液から結晶を回転引上げし、フローティングゾーン法（FZ法）はルツボを使わず高純度の結晶を得ます。引上げ速度・温度勾配・磁場印加の制御が、酸素濃度・抵抗率・結晶欠陥（COP）を決定し、ウェハ品質の出発点となります。
主要特徴
よくある質問
CZ法とFZ法の違いは？▾
単結晶インゴットの品質を決める要因は？▾
代表製品・スペック
| 成長方式 | PVT（昇華再結晶法・約 2,300 ℃） |
| 結晶径 | 4 ～ 8 インチ |
| 主要用途 | SiC 単結晶ブールの量産 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
3社の主要メーカー
熱電モジュール・シリコン部品・石英ガラス部品など半導体製造装置向けコンポーネントの日本大手。中国での半導体部材生産にも積極投資。
- •サーモエレクトリックモジュールで世界シェア首位級
- •石英・セラミック・シリコン部品の一貫製造
結晶成長装置と超音波検査装置のドイツ系メーカー。シリコンのCZ引き上げ炉、SiC・AlNのPVT（昇華）成長炉、真空炉、超音波非破壊検査装置を手掛ける。
- •CZ引き上げ炉・PVT成長炉の両方を供給
- •化合物半導体の結晶成長装置に強み
工業炉・結晶育成装置・高周波電源のメーカー。丸型チャンバーの CZ 法引上げ装置、溶液法装置、EFG 単結晶育成装置、多結晶シリコン凝固育成装置のほか、熱処理炉や溶解炉を製造し、他社製装置のメンテナンスにも対応する。
- •CZ・EFG・溶液法など複数方式の結晶育成装置
- •工業炉と高周波電源の自社技術
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