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単結晶製造装置(CZ/FZ引上げ)メーカー1社
単結晶製造装置は、多結晶シリコン原料を融解し、種結晶から無欠陥の単結晶インゴットを成長させる装置です。代表的なチョクラルスキー法(CZ法)は石英ルツボ内の融液から結晶を回転引上げし、フローティングゾーン法(FZ法)はルツボを使わず高純度の結晶を得ます。引上げ速度・温度勾配・磁場印加の制御が、酸素濃度・抵抗率・結晶欠陥(COP)を決定し、ウェハ品質の出発点となります。
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主要特徴
CZ法:石英ルツボの融液から種結晶を回転引上げ—量産シリコンの主流
FZ法:ルツボレスで高純度・高抵抗率—パワー半導体向けに利用
引上げ速度・温度勾配・磁場(MCZ)で酸素濃度・欠陥密度を制御
SiC単結晶は昇華法(PVT)で成長させ、難加工材料として需要拡大
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