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単結晶製造装置(CZ/FZ引上げ)メーカー1

単結晶製造装置は、多結晶シリコン原料を融解し、種結晶から無欠陥の単結晶インゴットを成長させる装置です。代表的なチョクラルスキー法(CZ法)は石英ルツボ内の融液から結晶を回転引上げし、フローティングゾーン法(FZ法)はルツボを使わず高純度の結晶を得ます。引上げ速度・温度勾配・磁場印加の制御が、酸素濃度・抵抗率・結晶欠陥(COP)を決定し、ウェハ品質の出発点となります。

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主要特徴

CZ法:石英ルツボの融液から種結晶を回転引上げ—量産シリコンの主流
FZ法:ルツボレスで高純度・高抵抗率—パワー半導体向けに利用
引上げ速度・温度勾配・磁場(MCZ)で酸素濃度・欠陥密度を制御
SiC単結晶は昇華法(PVT)で成長させ、難加工材料として需要拡大

よくある質問

CZ法とFZ法の違いは?
CZ法は石英ルツボ内の融液から結晶を引上げる量産向けの方式で、FZ法はルツボを使わず溶融帯を移動させる方式です。FZ法は不純物が少なく高抵抗率の結晶が得られ、パワー半導体などに使われます。
単結晶インゴットの品質を決める要因は?
引上げ速度、融液の温度勾配、回転数、磁場印加(MCZ)などが、酸素濃度・抵抗率・結晶欠陥(COP)を左右します。

メーカー

1社の主要メーカー

フェローテックホールディングス日本

熱電モジュール・シリコン部品・石英ガラス部品など半導体製造装置向けコンポーネントの日本大手。中国での半導体部材生産にも積極投資。

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  • サーモエレクトリックモジュールで世界シェア首位級
  • 石英・セラミック・シリコン部品の一貫製造

関連カテゴリ

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ウェハ研磨・面取り装置
ワイヤソー・スライシング装置

関連用語

シリコンインゴットとは →シリコンウェハ製造とは →種結晶(シード)とは →格子間酸素(Oi)とは →COP(結晶起因ピット)とは →ワイヤーソーとは →カーフロス(切り代)とは →オリフラ・ノッチとは →ベベル(面取り)とは →レーザースライシングとは →ラッピングとは →両面研磨(DSP)とは →

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