ウェハ研磨・面取り装置メーカー8社
ウェハ研磨・面取り装置は、スライス直後のウェハ表面を鏡面化し、エッジを整える仕上げ工程の装置群です。ラッピング(粗研磨)で厚みとうねりを整え、面取り(エッジグラインダー)で割れ・欠けの起点となる外周を加工し、CMPによる最終ポリッシュで原子レベルの平坦・鏡面表面に仕上げます。表面粗さ・ナノトポグラフィ・残留ダメージが、後続の露光焦点深度や成膜均一性に直結します。
主要特徴
よくある質問
ウェハ製造のCMPと前工程のCMPは違いますか?▾
面取り(エッジ加工)はなぜ必要ですか?▾
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
| 研磨方式 | 片面ファイナルポリッシュ(3 テーブル) |
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 主要用途 | シリコンウェーハの超鏡面仕上げ |
| 研磨方式 | 枚葉 CMP(ViPRR キャリア) |
| 対応ウェハ径 | 150 mm(200 mm 変換キットあり) |
| 主要用途 | SiC 基板の量産研磨 |
片面研磨装置(研究開発・小ロット用)
不二越機械工業のウェーハ片面研磨装置。耐酸薬品仕様もあり、サファイアや SiC の加工に使われる。
| 研磨方式 | 片面研磨 |
| 対応ウェハ径 | φ2 ~ φ12 インチ |
| 主要用途 | 研究開発・小ロット生産、サファイア・SiC 加工 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
8社の主要メーカー
精密研削・研磨装置の老舗メーカー。半導体向けバックグラインダー・ポリッシャー・CMPなど、ウェハ薄化と平坦化工程に強み。
- •ウェハバックグラインダーで国内主要メーカー
- •精密研削・研磨技術における長年の実績
CMP(化学機械研磨)装置と半導体製造用真空ポンプ・除害装置の大手。ポンプ・精密機械・環境事業を軸に、半導体製造インフラを幅広く支える。
- •CMPシステムで世界シェア上位。前工程の平坦化プロセスに不可欠
- •ドライ真空ポンプ・スクラバーでクリーンルームの排気・除害を担う
「切る・削る・磨く」技術の世界的リーダー。ダイシングソー、グラインダで市場トップシェアを持ち、超薄ウェーハ加工の完全ソリューションを提供。
- •ダイシングソー、グラインダで世界トップシェア
- •超薄ウェーハ加工の完全ソリューション
ラッピングマシン・ポリッシングマシンを主力とする装置メーカー。シリコンウェハの両面研磨機や片面研磨機を供給し、ウェハの平坦度・厚みばらつきを決める工程を支える。
- •両面ラップ・両面ポリッシュ機の専業メーカー
- •大径ウェハの平坦度を作り込む加工ノウハウ
シリコンウェハの加工受託を主業とする群馬のメーカー。インゴットのスライスから面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨、洗浄までウェハ加工の一連工程を受託し、信越半導体との結び付きが強い。
- •スライスから鏡面研磨・洗浄までの一貫受託
- •300mmウェハ加工の量産実績
ジェイテクトグループの工作機械メーカー。平面研削盤・内面研削盤を主力とし、シリコンウェハの平面研削装置など半導体材料向けの加工機も供給する。
- •平面研削盤で培った高精度な送り・主軸技術
- •ウェハ研削向けの専用機対応
塗布技術を核とする研磨材メーカー。精密研磨フィルムを自社開発し、ウェハのエッジ・ベベル研磨装置や各種研磨装置と組み合わせて供給する。
- •研磨フィルムの自社塗工技術
- •消耗材と装置を一体で提案できる体制
200mm以下のウェハ向け研削(グラインダ)・CMP装置に特化した米国メーカー。SiC・GaN・サファイアなど硬脆材料の加工に強みを持つ。
- •200mm以下・化合物基板向けに特化
- •硬脆材料(SiC・サファイア)の研削/研磨技術
同じ分野の装置カテゴリ
化合物半導体基板製造装置は、SiC・GaN・GaAs・InPなどシリコン以外の半導体基板を製造・成膜する装置群です。
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メーカー 5 社