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ウェハ研磨・面取り装置メーカー7

ウェハ研磨・面取り装置は、スライス直後のウェハ表面を鏡面化し、エッジを整える仕上げ工程の装置群です。ラッピング(粗研磨)で厚みとうねりを整え、面取り(エッジグラインダー)で割れ・欠けの起点となる外周を加工し、CMPによる最終ポリッシュで原子レベルの平坦・鏡面表面に仕上げます。表面粗さ・ナノトポグラフィ・残留ダメージが、後続の露光焦点深度や成膜均一性に直結します。

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主要特徴

ラッピング→面取り→ポリッシュ(CMP)でウェハを鏡面仕上げ
面取り(エッジ加工)で外周の割れ・欠けを防止
ナノトポグラフィ・表面粗さが後工程の露光・成膜品質を左右
前工程のCMP装置とは目的が異なる「ウェハ製造側」の平坦化工程

よくある質問

ウェハ製造のCMPと前工程のCMPは違いますか?
目的が異なります。ウェハ製造側のCMPはベアウェハ表面を鏡面化する仕上げ工程で、前工程のCMPはデバイス形成中の層間平坦化を行います。
面取り(エッジ加工)はなぜ必要ですか?
ウェハ外周の角を丸めることで、搬送・熱処理時の割れや欠け、パーティクル発生の起点をなくし、歩留まりを向上させるためです。

メーカー

7社の主要メーカー

岡本工作機械製作所日本

精密研削・研磨装置の老舗メーカー。半導体向けバックグラインダー・ポリッシャー・CMPなど、ウェハ薄化と平坦化工程に強み。

バックグラインダー
VG-502 MKII
研磨装置
ウェハポリッシャーCMP装置
  • ウェハバックグラインダーで国内主要メーカー
  • 精密研削・研磨技術における長年の実績
荏原製作所日本

CMP(化学機械研磨)装置と半導体製造用真空ポンプ・除害装置の大手。ポンプ・精密機械・環境事業を軸に、半導体製造インフラを幅広く支える。

CMP装置
FREX(300mm CMP)F-REX(先端CMP)
真空ポンプ
EV-Aシリーズ(ドライ真空)除害装置
  • CMPシステムで世界シェア上位。前工程の平坦化プロセスに不可欠
  • ドライ真空ポンプ・スクラバーでクリーンルームの排気・除害を担う
DISCO日本

「切る・削る・磨く」技術の世界的リーダー。ダイシングソー、グラインダで市場トップシェアを持ち、超薄ウェーハ加工の完全ソリューションを提供。

ダイシング装置
ダイシングソーレーザソー
グラインダ
ウェーハグラインダ
研磨装置
表面平坦化装置
  • ダイシングソー、グラインダで世界トップシェア
  • 超薄ウェーハ加工の完全ソリューション
不二越機械工業日本

ラッピングマシン・ポリッシングマシンを主力とする装置メーカー。シリコンウェハの両面研磨機や片面研磨機を供給し、ウェハの平坦度・厚みばらつきを決める工程を支える。

研磨装置
両面ラッピングマシン両面ポリッシングマシン片面研磨機
  • 両面ラップ・両面ポリッシュ機の専業メーカー
  • 大径ウェハの平坦度を作り込む加工ノウハウ
三益半導体工業日本

シリコンウェハの加工受託を主業とする群馬のメーカー。インゴットのスライスから面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨、洗浄までウェハ加工の一連工程を受託し、信越半導体との結び付きが強い。

ウェハ加工受託
スライスラッピング鏡面研磨枚葉洗浄
再生ウェハ
リクレームウェハ
  • スライスから鏡面研磨・洗浄までの一貫受託
  • 300mmウェハ加工の量産実績
光洋機械工業日本

ジェイテクトグループの工作機械メーカー。平面研削盤・内面研削盤を主力とし、シリコンウェハの平面研削装置など半導体材料向けの加工機も供給する。

研削装置
平面研削盤ウェハ研削装置
  • 平面研削盤で培った高精度な送り・主軸技術
  • ウェハ研削向けの専用機対応
Mipox日本

塗布技術を核とする研磨材メーカー。精密研磨フィルムを自社開発し、ウェハのエッジ・ベベル研磨装置や各種研磨装置と組み合わせて供給する。

研磨材
精密研磨フィルム研磨スラリー
研磨装置
ベベル研磨装置精密研磨装置
  • 研磨フィルムの自社塗工技術
  • 消耗材と装置を一体で提案できる体制

関連カテゴリ

化合物半導体基板製造装置(SiC/GaN)
単結晶製造装置(CZ/FZ引上げ)
ワイヤソー・スライシング装置

関連用語

両面研磨(DSP)とは →シリコンウェハ製造とは →シリコンインゴットとは →種結晶(シード)とは →格子間酸素(Oi)とは →COP(結晶起因ピット)とは →ワイヤーソーとは →カーフロス(切り代)とは →オリフラ・ノッチとは →ベベル(面取り)とは →レーザースライシングとは →ラッピングとは →

比較・違いを学ぶ

ラッピングと両面研磨(DSP)の違い
どちらもウェハの表裏を同時に加工して平坦度を作る工程ですが、狙いが違います。ラッピングはスライス痕と厚みばらつきを短時間で除去する粗加工、両面研磨(DSP)はリ
エピタキシャルウェハとポリッシュドウェハの違い
同じシリコンウェハでも、研磨しただけのポリッシュドウェハと、その上にエピタキシャル層を成長させたエピウェハでは、表層の素性がまったく違います。前者は「インゴット
CZ法とFZ法の違い(シリコン単結晶成長の比較)
CZ法(チョクラルスキー法)は石英ルツボの融液から種結晶を引き上げて単結晶を育てる方法、FZ法(フローティングゾーン法)はルツボを使わず帯溶融で単結晶化・精製す
300mmウェーハと200mmウェーハの違い(コスト・用途・設備の比較)
半導体製造ウェーハの直径(インチ数)はチップの製造コストと適用用途を大きく左右します。300mm(12インチ)ウェーハは先端ロジック・DRAM・NANDの大量生
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