化合物半導体基板製造装置（SiC/GaN）メーカー6社
化合物半導体基板製造装置は、SiC・GaN・GaAs・InPなどシリコン以外の半導体基板を製造・成膜する装置群です。SiCは昇華法（PVT）による単結晶成長、GaNはサファイア等の異種基板上へのエピタキシャル成長（MOCVD/HVPE）が中心で、いずれも高温・難加工プロセスを要します。EV・高効率電源向けのSiCパワーデバイス、急速充電器・通信向けのGaNデバイスの需要拡大により、化合物基板とそのエピ装置の重要性が高まっています。
主要特徴
よくある質問
化合物半導体基板とは何ですか？▾
SiC基板の製造が難しい理由は？▾
スペック比較
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※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
| 方式 | 高温 CVD（マルチウェーハ・バッチ） |
| 対応ウェハ径 | 150 mm × 9 枚／200 mm × 6 枚 |
| 特徴 | インシチュ上面温度制御（TTC） |
| 主要用途 | SiC パワーデバイス用エピウェーハ |
| 方式 | マルチワイヤーソー |
| 対応ウェハ径 | 6 インチ SiC（10 インチまでの機種もあり） |
| 主要用途 | SiC・化合物インゴットのスライス |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
6社の主要メーカー
MOCVD・CVD装置の世界的リーダー。GaN LED・SiCエピタキシー・III-V族化合物半導体デバイスの量産に不可欠なエピタキシャル成長装置を提供する。
- •MOCVD装置で世界トップシェア（GaN LED・GaN HEMT）
- •SiC・InP・GaAsなど化合物半導体の幅広いプロセスに対応
MOCVD・MBE・ALDなど薄膜エピタキシャル成長装置の専業メーカー。LED、化合物半導体、先端ロジック向けの精密成膜技術を提供。
- •MOCVD装置でグローバルトップシェア
- •MBE・ALDを含む多様な薄膜成長技術ポートフォリオ
電線・光ファイバを主事業に持つ住友電工の化合物半導体部門。SiCウェハ・GaAs・InP基板などパワーデバイス・光通信向けウェハを供給。
- •SiCウェハで国内有数のサプライヤー
- •GaAs・InP化合物半導体基板の長年の製造実績
SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスの世界最大手メーカー。EV・太陽光・産業用インバーター向けSiC MOSFETとSiCウェハを一貫製造。旧Cree社のパワー・RF半導体事業が独立し、200mmウェハへの移行を先行している。
- •SiCウェハからデバイスまで垂直統合
- •200mm SiCウェハの量産化を業界で先行
2023年に昭和電工と日立化成が統合して発足した半導体材料の総合メーカー。CMPスラリー・半導体封止材・エピタキシャルウェーハ・SiCエピウェーハを主力とする。
- •CMPスラリー（High-Purity Colloidal Silica）で世界上位シェア
- •SiCエピタキシャルウェーハで国内最大手。パワー半導体市場の拡大を追い風に
奈良に本社を置く精密機械メーカー。シリコンやSiCのインゴットを切断するワイヤソーに加え、半導体・電子部品向けのダイシング関連装置や貼合・剥離装置を手掛ける。
- •ワイヤソーとダイシング装置の両方を保有
- •SiCなど硬脆材料の切断・加工技術
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