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ワイヤソー・スライシング装置メーカー4

スライシング装置は、成長させた単結晶インゴットを薄いウェハ状に切断する装置です。現在の主流はワイヤソーで、細い鋼線に砥粒(遊離砥粒スラリーまたは固定砥粒ダイヤ)を介して数百本のウェハを同時に切り出します。カーフロス(切り代)の低減・厚みばらつき(TTV)・反り(ワープ)・切断面のダメージ抑制が課題で、SiCなど硬脆材料では加工効率と歩留まりの両立が重要になります。

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主要特徴

ワイヤソーで1本のインゴットから数百枚を同時切断
遊離砥粒(スラリー)方式と固定砥粒(ダイヤワイヤ)方式がある
カーフロス(切り代)削減で材料歩留まりを向上
TTV(厚みばらつき)・ワープ・加工ダメージの抑制が品質の鍵

よくある質問

ワイヤソーとは何ですか?
細い金属ワイヤに砥粒を作用させてインゴットを薄く切断する装置です。数百本のワイヤを並べて多数のウェハを一度に切り出せます。
SiCの切断が難しい理由は?
SiCはダイヤモンドに次ぐ硬度を持つため切断に時間がかかり、ワイヤや砥粒の摩耗も大きくなります。加工効率と歩留まりの両立が課題です。

メーカー

4社の主要メーカー

DISCO日本

「切る・削る・磨く」技術の世界的リーダー。ダイシングソー、グラインダで市場トップシェアを持ち、超薄ウェーハ加工の完全ソリューションを提供。

ダイシング装置
ダイシングソーレーザソー
グラインダ
ウェーハグラインダ
研磨装置
表面平坦化装置
  • ダイシングソー、グラインダで世界トップシェア
  • 超薄ウェーハ加工の完全ソリューション
東京精密(Accretech)日本

日本の精密計測・半導体製造装置メーカー。ウェーハプロービングシステムおよびダイシング装置で高い技術力を誇る。

プロービングシステム
ウェーハプローバー自動プローブステーション
ダイシング・研削装置
ダイシングソーウェーハ研削装置
  • ウェーハプローバーにおける高精度計測技術
  • ダイシングソーおよび研削装置の製造実績
コマツNTC日本

コマツ傘下の工作機械メーカー。シリコンインゴットやSiCインゴットを切断するワイヤソーを供給し、大径ウェハの多数枚同時切断や、ダイヤモンドワイヤによる硬脆材料の切断技術に強みを持つ。

ワイヤソー
シリコンインゴット用ワイヤソーSiC・化合物向けワイヤソー
  • 大径インゴット向けワイヤソーの量産実績
  • ダイヤモンドワイヤによる硬脆材料切断
タカトリ日本

奈良に本社を置く精密機械メーカー。シリコンやSiCのインゴットを切断するワイヤソーに加え、半導体・電子部品向けのダイシング関連装置や貼合・剥離装置を手掛ける。

ワイヤソー
インゴット切断用ワイヤソー
ダイシング関連
ダイシング装置貼合・剥離装置
  • ワイヤソーとダイシング装置の両方を保有
  • SiCなど硬脆材料の切断・加工技術

関連カテゴリ

化合物半導体基板製造装置(SiC/GaN)
単結晶製造装置(CZ/FZ引上げ)
ウェハ研磨・面取り装置

関連用語

ワイヤーソーとは →シリコンウェハ製造とは →シリコンインゴットとは →種結晶(シード)とは →格子間酸素(Oi)とは →COP(結晶起因ピット)とは →カーフロス(切り代)とは →オリフラ・ノッチとは →ベベル(面取り)とは →レーザースライシングとは →ラッピングとは →両面研磨(DSP)とは →

比較・違いを学ぶ

ラッピングと両面研磨(DSP)の違い
どちらもウェハの表裏を同時に加工して平坦度を作る工程ですが、狙いが違います。ラッピングはスライス痕と厚みばらつきを短時間で除去する粗加工、両面研磨(DSP)はリ
エピタキシャルウェハとポリッシュドウェハの違い
同じシリコンウェハでも、研磨しただけのポリッシュドウェハと、その上にエピタキシャル層を成長させたエピウェハでは、表層の素性がまったく違います。前者は「インゴット
CZ法とFZ法の違い(シリコン単結晶成長の比較)
CZ法(チョクラルスキー法)は石英ルツボの融液から種結晶を引き上げて単結晶を育てる方法、FZ法(フローティングゾーン法)はルツボを使わず帯溶融で単結晶化・精製す
300mmウェーハと200mmウェーハの違い(コスト・用途・設備の比較)
半導体製造ウェーハの直径(インチ数)はチップの製造コストと適用用途を大きく左右します。300mm(12インチ)ウェーハは先端ロジック・DRAM・NANDの大量生
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