陷阱（載子陷阱）是由半導體的晶體缺陷、雜質或介面能態等在能隙中形成、會暫時捕獲電子或電洞的能階。陷阱會反覆捕獲與釋放載子，因此對元件特性影響很大。
陷阱會成為復合中心而縮短載子壽命，也會造成臨界電壓變動與漏電流。另一方面，積極利用此電荷捕獲特性的是電荷捕捉型快閃記憶體（3D NAND），在陷阱能階中儲存電子以記憶資料。降低介面陷阱是提升可靠度的關鍵。
陷阱由晶體缺陷、晶格紊亂、與氧化膜的介面（介面能態）、重金屬等雜質所產生，會在能隙中央附近形成深能階。被陷阱捕獲的載子會在一段時間後釋放，因此成為響應延遲與特性變異的原因。
其不良影響包括：成為復合中心而縮短載子壽命、使 MOSFET 的臨界電壓變動、增加漏電流等。另一方面，積極利用陷阱電荷儲存的是電荷捕捉型快閃記憶體（3D NAND 的主流），在 SiN 膜的陷阱中儲存電子以記憶資料。