擴散爐（Diffusion Furnace）是半導體製造熱處理步驟中使用的直立式或水平式高溫爐設備。將矽晶圓加熱至高溫（500～1200°C），進行雜質（摻雜物）的擴散・活化、熱氧化膜（SiO₂）的形成、CVD 成膜（多晶矽・氮化膜等）等。以批次處理一次處理大量晶圓，產能高，廣泛用於各種節點。
直立式擴散爐（Vertical Furnace）是將裝載晶圓的石英晶舟插入直立爐管加熱，是現代的主流形式。溫度均勻性（±0.5°C以下）與氣氛控制（O₂・N₂・H₂・Cl₂等）是主要性能指標。與水平爐相比，晶圓因自重造成的變形（滑移，slip）較少，適合300mm晶圓。
RTP（Rapid Thermal Processing）用於短時間・低熱預算處理，而厚氧化膜形成・多晶矽成膜等長時間處理則以批次式擴散爐較具優勢。主要廠商為東京威力科創（TEL）、國際電氣（KOKUSAI ELECTRIC）等，在直立爐市場中日本企業具有強大的競爭力。