DUV（Deep Ultraviolet：深紫外光）是指波長約100～300nm 的紫外光區域，被廣泛用作半導體微影（光微影）的光源。代表性光源為 KrF（氟化氪）準分子雷射（248nm）與 ArF（氟化氬）準分子雷射（193nm），為了與 EUV（Extreme Ultraviolet，13.5nm）區別而稱為「DUV」。至今仍是全球半導體晶圓廠中運轉最廣泛的曝光技術。
DUV 微影的歷史始於1990年代導入 KrF（248nm），2000年代 ArF（193nm）成為主力。2007年前後 ArFi（ArF 浸潤式曝光）實用化，在鏡頭與晶圓之間填滿純水（n=1.44）以實現 NA>1，達到比乾式 ArF 高40%以上的解析度。再搭配 SADP、SAQP 等多重圖案化技術，ArFi 可對應到10nm 世代，目前仍持續用於7nm～3nm 的非關鍵層（閘極與接觸窗以外的多數層）。
即使 EUV 已普及，DUV 仍不可或缺的原因有4點：①成本：ArFi 曝光機（約50～100億日圓）的成本遠低於 EUV（約170～200億日圓）；②產出量：ArFi 機台（305 WPH）的處理能力高於 EUV 機台（220 WPH）；③台數：全球晶圓廠已大量導入 ArFi 與 KrF 設備，可活用既有資產；④用途分工：完成1片晶圓所需的100道以上曝光步驟中，使用 EUV 的只有數層，其餘都由 DUV 負責。
DUV 目前的主要用途有：①先進邏輯（3nm、5nm 等）的非關鍵層（場氧化層、金屬導線下層、接觸窗等）；②成熟節點（28nm、40nm、65nm 等）全層的量產；③DRAM 與 NAND 的多數層（EUV 只用於部分關鍵層）；④類比與功率半導體（100nm～數 μm：以 KrF 為主力）的製造。ArFi 所用多重圖案化（SADP/SAQP/LELELE）的設計與製程技術訣竅，是 DUV 設備的重要附加價值。
DUV 曝光機市場的主要廠商為艾司摩爾（ASML，NXT 系列掃描式曝光機：市占率75%以上）、尼康（Nikon，NSR-S 系列）與佳能（Canon，FPA 系列）。EUV 由 ASML 獨占，但在 DUV 領域，尼康與佳能也擁有一定的市占率。ASML 以 ArFi 最新機種（NXT:2100i：最高305 WPH、NA=1.35）持續供應先進晶圓廠。