均勻度（Uniformity）是表示膜厚、蝕刻深度、圖形尺寸等加工結果，在不同位置與時間上是否一致、不產生變異的指標。在半導體製造中，會將1片晶圓內不同位置的差異稱為片內均勻度（WIW：Within Wafer），晶圓之間的差異稱為片間均勻度（WTW：Wafer to Wafer），批與批之間的差異稱為批間均勻度。變異越小，無論從晶圓何處取下的晶片都會有相同特性，良率也越穩定。
均勻度的表示方式有幾種慣例。常用的是將量測點最大值與最小值的差除以平均值的2倍（（最大值−最小值）÷（2×平均值）×100%），以及將標準差σ除以平均值（1σ%或3σ%）。所用的公式、晶圓外圍排除多少mm（邊緣排除，edge exclusion）、量測幾個點，都會使數值改變，因此比較數值時必須統一定義。數值越小越均勻，例如規格會訂為「膜厚片內均勻度1%以下」。
片內均勻度取決於設備設計與製程條件。在薄膜沉積與蝕刻中，噴出氣體的噴淋頭（shower head）的氣體分布、承載晶圓的載台（pedestal）的溫度分布、電漿密度的分布是主要因素，晶圓中心與外圍容易產生差異。因此會使用將加熱器與氣體噴出口分區、分別控制的設備。在CMP中，研磨頭的壓力分布決定均勻度。片間與批間均勻度會因腔體狀態變化或零組件耗損而惡化，因此以線上量測與SPC監控，並以APC修正條件。