檢測設備是什麼
檢測設備是偵測晶圓製程各步驟所產生的缺陷，以提升良率並確保品質的設備群。依製程種類使用專用設備，如圖形缺陷檢測、光罩檢測、晶圓表面檢測等。微縮越進展，需偵測的缺陷尺寸也越小，因此需要能高速且高精度找出奈米等級缺陷的技術。檢測設備透過「及早發現問題」降低製造成本，並防止不良品流出，扮演重要角色。量測設備（Metrology）是「測量尺寸、膜厚等數值」，而檢測設備則專注於「判定有無缺陷」。兩者為互補關係，是製程品質管理不可或缺的一環。
細分類 10 類
主要細分類
- •晶體缺陷檢測設備
- •缺陷檢測設備
- •電子束（EB）檢測設備
- •巨觀（Macro）檢測設備
- •光罩檢測設備
- •光學式晶圓檢測設備
- •異物・微粒檢測設備
- •缺陷複檢 SEM（Review SEM）
- •膜厚量測設備
- •晶圓檢測設備
重點整理
偵測晶圓製程各步驟所產生的缺陷（提升良率、確保品質）
高速且高精度地偵測奈米等級缺陷
及早發現問題以降低製造成本、防止不良品流出
與量測設備為互補關係（檢測判定有無缺陷，量測測量數值）
相關用語
比較文章
前段製程設備的其他分類
清洗設備
清洗設備是在半導體製造製程中去除晶圓表面微粒（微粒子）、金屬雜質、有機物、原生氧化層等汙染物質，使用頻率最高的重要前段製程設備。
CMP 設備CMP（Chemical Mechanical Planarization：化學機械研磨）設備結合化學作用與機械研磨，將晶圓表面的凹凸平坦化至奈米等級，是前段製程的核心設備。
薄膜沉積設備薄膜沉積設備是在晶圓表面形成絕緣膜、導電膜、半導體膜等薄膜的前段製程重要設備，膜厚從數百奈米到原子等級。
蝕刻設備蝕刻設備是從晶圓上的薄膜去除不需要的部分、形成微細電路圖形的前段製程核心設備。
離子佈植機離子佈植機是將雜質離子（硼、磷、砷等）以高能量打入矽等半導體基板，精密控制電晶體源極、汲極、井區的導電型與濃度的前段製程關鍵設備。
曝光機曝光機（微影設備）是利用光將光罩（reticle）上的電路圖形轉印至晶圓上光阻的設備群。
光罩製造設備光罩製造設備（光罩／reticle 製造設備）是製造、檢測與修補半導體曝光製程所用光罩（reticle）的設備群。
量測設備量測設備是精密測量晶圓製程中圖形尺寸、膜厚、疊對（位置偏移）等數值的設備群。
熱處理設備熱處理設備是將半導體晶圓加熱至高溫（約 200～1100°C），進行雜質活化、氧化膜形成、矽化物形成、退火（晶格缺陷修復）等熱反應的前段製程重要設備群。