GT66A 是 Gigaphoton 的 ArF 浸潤式微影用光源(準分子雷射)。2021年10月27日發表,支援 5nm 節點與次世代節點的半導體製造。
將斑點對比(speckle contrast)降低 30%,以減少曝光圖案的偏移(EPE),並抑制微細圖案的凹凸(LER)與圖案寬度的變異(LWR)。微縮越進展,光源特性對圖案品質的影響就越大。
以高耐久性零件將保養週期延長 30%,提高設備的可用率與生產力。以自動駕駛、高性能伺服器等所使用的高階元件用半導體生產為對象。
Gigaphoton 的 ArF 浸潤式微影用光源,以 5nm 節點以後為對象,2021年正式運轉。
GT66A 是 Gigaphoton 的 ArF 浸潤式微影用光源(準分子雷射)。2021年10月27日發表,支援 5nm 節點與次世代節點的半導體製造。
將斑點對比(speckle contrast)降低 30%,以減少曝光圖案的偏移(EPE),並抑制微細圖案的凹凸(LER)與圖案寬度的變異(LWR)。微縮越進展,光源特性對圖案品質的影響就越大。
以高耐久性零件將保養週期延長 30%,提高設備的可用率與生產力。以自動駕駛、高性能伺服器等所使用的高階元件用半導體生產為對象。
| 雷射種類 | ArF 準分子(浸潤式曝光用) |
|---|---|
| 特點 | 斑點對比降低 30%・保養週期延長 30% |
| 主要用途 | 5nm 以後的 ArF 浸潤式曝光光源 |
規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。
Gigaphoton(總部:日本)