驅動・光學單元是什麼
驅動・光學單元是負責移動晶圓、照射光線、偵測狀態等設備「身體機能」的子系統。傳送機械手臂負責產出量，精密載台與干涉儀負責定位精度，隔振系統則負責與外部干擾隔離。在曝光機中，準分子雷射光源與光學系統直接等同於解析能力；在清洗設備中，兆聲波（megasonic）振盪器則決定清洗力。這些都是設備廠商向專業供應商採購的領域，此處的技術革新也經常引發設備的世代更替，是一個低調卻具決定性的類別。
主要細分類
- •準分子雷射振盪器
- •兆音波（Megasonic）振盪器
- •光學模組・UV 燈
- •各類感測器・馬達
- •精密平台・干涉儀
- •隔振系統
- •晶圓傳送機械手臂・搬運
重點整理
相關用語
比較文章
- EUV曝光機與DUV曝光機的差異兩者都是將電路圖形轉印到光阻上的曝光機，但光源波長與設備構成根本不同。EUV以13.5nm的極紫外光，可透過單次曝光實現微縮，但必須採用真空與反射式光學。DUV…
- High-NA EUV與傳統EUV的差異（NA=0.55 vs NA=0.33）EUV曝光機目前分為「傳統EUV（NA=0.33，ASML的NXE系列）」與「High-NA EUV（NA=0.55，ASML的EXE系列）」2個世代。High…
- ArF曝光與KrF曝光的差異（DUV曝光機比較）ArF與KrF都是以DUV（深紫外光）準分子雷射為光源的微影設備，但光源波長根本不同。ArF（氟化氬）為193nm，搭配浸潤式曝光（ArFi：以純水將NA延伸到…
- 單一圖案化與多重圖案化的差異曝光機的解析度有物理上的極限（繞射極限），為了實現以1次曝光無法直接形成的微細圖形而開發的就是多重圖案化技術。藉由SADP（自對準雙重圖案化）與SAQP（自對準…
- 奈米壓印與EUV的差異（次世代微影比較）奈米壓印微影（NIL）與EUV曝光同為實現半導體製造微縮的微影技術，但圖形轉印的原理根本不同。EUV是使用13.5nm光的最先進光學微影，實質上由艾司摩爾（AS…
- 正型光阻與負型光阻的差異（光阻比較）光阻是經曝光後溶解特性會改變的感光材料。正型光阻的曝光區會溶於顯影液（光罩透光部以外的區域留下成為圖形），負型光阻則是曝光區硬化留下、未曝光區溶解。解析度優異的…
設備零組件・子系統的其他分類
打線瓷嘴（capillary）是在打線機前端夾持焊線，並將超音波與荷重傳遞至接合面的耗材零件。
載具清洗設備載具清洗設備是將 FOUP 或晶圓卡匣內累積的微粒與化學汙染清洗乾淨的設備。
耗材零件・零件清洗／再生耗材零件・零件清洗／再生，是指暴露在電漿或氣體中而逐漸劣化的設備內部零件，以及將其再利用的服務領域。
設備控制軟體・委託開發設備控制軟體是讓半導體製造設備的腔體、傳送機械手臂、氣體系統、電源等依指令動作，並執行製程配方（recipe）的軟體層。
切割刀片・貼片機零件切割刀片・貼片機零件是將晶圓切分成晶片的製程中所使用的耗材。
靜電吸盤・加熱板靜電吸盤（ESC）是以靜電力固定晶圓的陶瓷製載台零件。
流體・化學品系統流體・化學品系統是在設備內輸送化學品、純水、冷媒、臭氧水，並控制溫度與流量的子系統。
氣體供應・流量控制氣體供應・流量控制系統是將製程氣體或特殊材料氣體以設定的流量與壓力送達腔體的子系統。
加熱器單元・溫度監控加熱器單元・溫度監控是加熱腔體或晶座（susceptor），並量測與控制其溫度的零件。
感測晶圓（附熱電偶晶圓）感測晶圓（附熱電偶晶圓）是埋入熱電偶或各種感測器的量測專用晶圓，是用來在實際晶圓位置量測設備狀態的治具。
研磨墊・研磨頭零件研磨墊・研磨頭（carrier）零件是在 CMP 或晶圓研磨中實際與加工面接觸的耗材。
RF 電源・電源系統RF 電源・電源系統是為使用電漿的蝕刻、CVD（PECVD）、PVD（濺鍍）設備供應高頻／直流電力的子系統。
製程監控器（EPD/OES）製程監控器是即時觀測處理中腔體內部狀態的單元。
石英・陶瓷零件石英・陶瓷零件是用於製造設備腔體內部、暴露在高溫・電漿・腐蝕性氣體中的零組件。
表面處理・熔射塗層表面處理・熔射塗層是在腔體內壁或治具表面形成耐電漿膜，以改善零件壽命與微粒特性的加工服務。
測試治具・接觸零件測試治具・接觸零件是介於測試機與元件之間、建立電氣接觸的零件。
真空幫浦真空幫浦是將薄膜沉積（CVD/PVD/ALD）、蝕刻、離子佈植等需要真空環境之製造設備的腔體內部抽氣的核心子系統。
真空排氣系統真空排氣系統是將製程腔體的壓力降至目標範圍，並在反應期間持續維持該狀態的子系統。
晶圓載具・FOUP・EFEM晶圓載具・FOUP・EFEM 是在潔淨環境中保管、搬送晶圓，並將其交接至設備內部的介面零件／子系統。