掃描式曝光機（Scanner）是半導體微影所用的一種曝光機，讓光罩（photomask）與晶圓同步掃描、同時進行曝光。與直到1980年代為止一直是主流、讓晶圓靜止並一次曝光的「步進機（Stepper）」不同，掃描式曝光機讓光罩與晶圓以相反方向連動移動並同時曝光，因此能實現大曝光區域、高產出量與更均勻的照明。現代的前段製程微影設備幾乎全部採用掃描式。
依光源區分，掃描式曝光機的主要類型如下。①KrF 掃描式曝光機（248nm）：90nm～250nm 節點的主力。②ArF 乾式掃描式曝光機（193nm）：對應65nm～130nm 節點。③ArF 浸潤式掃描式曝光機（193nm，ArFi）：20nm～65nm 節點的主角，目前在最先進晶圓廠仍有大量機台運轉。④EUV 掃描式曝光機（13.5nm）：用於7nm以下節點，只有 ASML 是量產供應商。各光源類型的數值孔徑（NA）、解析度與產出量特性不同，晶圓廠會依製程步驟分別使用多種類型。
掃描式曝光機的主要效能指標有「解析度（Resolution）」「疊對精度（Overlay Accuracy）」「產出量（Throughput，WPH：Wafers Per Hour）」「焦深（Depth of Focus）」。最先進的 ASML NXT:2100i 達到產出量每小時305片（標稱）、疊對±1.0nm、解析度38nm 半間距。EUV 掃描式曝光機（TWINSCAN NXE:3800E）在30mJ/cm²的曝光劑量下每小時可處理220片以上，每1台需投資數百億日圓。
掃描式曝光機的主要供應商為艾司摩爾（ASML，荷蘭）、尼康（Nikon，日本）與佳能（Canon，日本）3家，但 EUV 掃描式曝光機由 ASML 獨占。在 ArF 浸潤式掃描式曝光機市場，ASML 也擁有超過80%的市占率，尼康與佳能則以特定傳統節點與特殊用途（FPD、MEMS）為主要布局。1台掃描式曝光機由數萬個以上的零件構成，鏡頭、載台、照明系統與對準系統等高精度子系統都濃縮其中。
與掃描式曝光機相關的重要技術有「SMO（Source Mask Optimization，光源光罩最佳化）」與「計算微影（Computational Lithography）」。結合光源形狀最佳化（Freeform Illumination）與光罩 OPC，使製程窗口最大化。此外，將掃描式曝光機與塗佈／顯影機（東京威力科創 TEL 的 ACT-12等）整合為叢集設備，以將搬運時的污染與環境變動降到最低，已成為晶圓廠的標準配置。