Helios XP 是 Mattson Technology 的 RTP（快速熱處理）系統，用於 130nm 至 5nm 以下技術節點的開發與量產。
以從兩面加熱晶圓的「雙面加熱」技術管理晶圓應力，消除圖案負載效應（pattern loading effect）。溫度範圍為 200～1,300°C，具備主動補償放射率變動的溫度量測，以及 O₂ 不到 1ppm 的優異氣氛控制。
特點為長壽命的高功率白熾燈、結合高速晶圓傳送的雙製程腔體，以及精巧的佔地面積。主要用途為佈植後的離子活化、金屬矽化物形成、超淺接面形成與高溫退火，用於先進邏輯、3D NAND、DRAM 與 CMOS 感測器。200mm 用則有累計 300 台以上實績的 Helios C200。