Centura DPN HD的特點與規格

Centura DPN HD 是應用材料的閘極絕緣層氮化系統。在矽氧化層中導入氮可提高介電常數，作為等效較薄的膜使用，同時減少閘極漏電流，也可防止摻雜物擴散。

以低能量脈衝電漿導入氮，使閘極電極側含氮多、矽側含氮少，以維持通道的遷移率。透過新的化學反應與直接高溫加熱，實現 3X・2X nm 世代氮氧化閘極所需的高氮含量。

氮化後隨時間經過氮濃度會逐漸下降，但由於將 DPN 腔與氮化後退火（PNA）腔整合於 1 個真空環境內，可抑制此影響。同時用於邏輯與先進記憶體。