MARORA 是國際電氣的單片式處理(膜質改善)設備。適合次世代 DRAM 與邏輯的閘極絕緣層形成,以及快閃記憶體的絕緣層形成。
以獨家電漿生成方式(MMT:Modified Magnetron Typed),有效率地產生約 1eV 低電子溫度的電漿,實現無電漿損傷的處理。也提升了基板表面的電漿均勻性。
生產力為既有機型的最高 2 倍,並搭載可在大範圍內控制溫度的高溫加熱器。除電漿氧化與電漿氮化外,也能進行不氧化金屬、僅選擇性氧化矽的「選擇性氧化」。
以獨家 MMT 方式產生約 1eV 低電子溫度電漿的單片式處理設備。用於閘極絕緣層的電漿氮化・氧化。
MARORA 是國際電氣的單片式處理(膜質改善)設備。適合次世代 DRAM 與邏輯的閘極絕緣層形成,以及快閃記憶體的絕緣層形成。
以獨家電漿生成方式(MMT:Modified Magnetron Typed),有效率地產生約 1eV 低電子溫度的電漿,實現無電漿損傷的處理。也提升了基板表面的電漿均勻性。
生產力為既有機型的最高 2 倍,並搭載可在大範圍內控制溫度的高溫加熱器。除電漿氧化與電漿氮化外,也能進行不氧化金屬、僅選擇性氧化矽的「選擇性氧化」。
| 方式 | 單片式電漿處理(MMT 方式・約 1eV) |
|---|---|
| 適用晶圓尺寸 | 300 mm |
| 主要用途 | 電漿氮化・電漿氧化・選擇性氧化 |
規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。