Helios® XP（RTPシステム）
ウェハの表裏を同時に加熱する両面加熱RTP。表裏の温度バランスを取ることで、高い昇温速度とウェハ応力の管理を両立する。
Helios XPとは
Helios XP は、Mattson Technology の RTP（急速熱処理）システムです。130nm から 5nm 以下までの技術ノードの開発と量産に使われています。
ウェーハを両面から加熱する「ダブルサイドヒーティング」技術で、ウェーハの応力を管理し、パターンローディング効果をなくします。温度範囲は 200〜1,300°C で、放射率の変動を能動的に補償する温度計測と、O₂ 1ppm 未満という優れた雰囲気制御を備えます。
長寿命の高出力白熱ランプ、高速ウェーハ搬送を組み合わせたデュアルプロセスチャンバー、コンパクトな設置面積を特長とします。主な用途は注入後のイオン活性化、金属シリサイド形成、極浅接合の形成、高温アニールで、先端ロジック、3D NAND、DRAM、CMOS センサーに使われます。200mm 向けには 300 台以上の実績を持つ Helios C200 があります。
主な特長
- •ダブルサイドヒーティングでパターンローディング効果を解消
- •200〜1,300°C、放射率補償付きの温度計測
- •O₂ 1ppm 未満の雰囲気制御
- •デュアルプロセスチャンバー
主な仕様
| 方式 | 両面加熱（ダブルサイドヒーティング）RTP |
|---|---|
| 特徴 | 表裏の温度バランス制御による高速昇温 |
| 効果 | パターン負荷効果の低減・ウェハ応力の管理 |
| 対応範囲 | 基板厚・デバイス構造の異なるRTPプロセス |
| 主要用途 | 活性化アニール・シリサイド化アニール |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsVantage Vulcan RTP | Mattson TechnologyHelios® XP（RTPシステム） | Kokusai Electric（国際電気）TANDUO |
|---|---|---|---|
| 方式 | ランプ加熱式 RTP（枚葉） | 両面加熱（ダブルサイドヒーティング）RTP | 枚葉式 |
| 主要用途 | 不純物活性化・シリサイド形成などの短時間熱処理 | 活性化アニール・シリサイド化アニール | 枚葉での熱処理・膜質改善 |
| 対応プロセス | スパイク／サブ秒／超低温／各種メタルアニール | — | アニール・薄膜形成 |
| 関連機種 | Vantage Radiance Plus RTP（前世代機） | — | MARORA（プラズマ窒化・プラズマ酸化） |
1機種だけが掲載している項目（5件）
| チャンバー技術 | ハニカム型ランプ光源・多点温度測定・閉ループ制御 | — | — |
|---|---|---|---|
| 特徴 | — | 表裏の温度バランス制御による高速昇温 | — |
| 効果 | — | パターン負荷効果の低減・ウェハ応力の管理 | — |
| 対応範囲 | — | 基板厚・デバイス構造の異なるRTPプロセス | — |
| 構成 | — | — | モジュール選択式 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •注入後の不純物活性化・極浅接合
- •金属シリサイド形成・高温アニール
- •先端ロジック・3D NAND・DRAM・CMOS センサー
掲載カテゴリ
Helios XPは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
Mattson Technology
急速熱処理（RTP）・ドライストリップ（プラズマアッシャー）の専業装置メーカー。先端ロジック・メモリのゲート形成・レジスト除去工程を支える。
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関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-06