最後更新:2026年10月23日表面分析設備(XPS/SIMS)

TXRF 3760的特點與規格

理學(Rigaku)・表面分析設備(XPS/SIMS)

量測 200mm 以下晶圓表面汙染的全反射 X 射線螢光分析儀,用於清洗・微影・蝕刻等所有製程的汙染管理。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

TXRF 3760 是理學(Rigaku)的全反射 X 射線螢光(TXRF)分析儀。以極低的角度將 X 射線照射到晶圓表面使其全反射,非破壞且高速地量測表面極微量的金屬汙染。處理 200mm 以下的晶圓與小型基板。

以從 1 個靶取出 3 道光束的 X 射線系統,量測鈉(Na)到鈾(U)的元素。偵測下限(E10 atoms/cm²)為 Na・Al 25、Fe・Ni 0.1、Cu 0.15。配備 9kW 旋轉陽極型 W 靶 X 射線源,使用針對各元素群最佳化的 3 種激發能量。

配備避免繞射的 XYθ 載台、真空中的晶圓機械手臂傳送,以及不需液態氮的電子冷卻偵測器。可繪製晶圓全面汙染分布的 Sweeping TXRF,與可量測到邊緣的 ZEE-TXRF 為選配。用於清洗、微影、蝕刻、灰化、薄膜沉積等各製程的汙染分析,支援 Si 與非 Si 基板。

主要規格

分析手法TXRF(全反射 X 射線螢光)
特點可量測 Na ~ U・免液態氮偵測器・零邊緣排除(選配)
主要用途晶圓表面的金屬汙染分析

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

以 TXRF 量測 Na~U 的表面金屬汙染
偵測下限 Fe・Ni 0.1×10¹⁰ atoms/cm²
9kW 旋轉陽極,3 種激發能量
Sweeping TXRF・ZEE-TXRF(選配)

主要用途

  • 晶圓表面的金屬汙染分析
  • 清洗・蝕刻・薄膜沉積製程的汙染管理

製造商

理學(Rigaku)(總部:日本)

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資料來源

  1. 理學(Rigaku)官方產品頁面:Rigaku TXRF 3760