最後更新:2026年10月23日表面分析設備(XPS/SIMS)

JAMP-9510F的特點與規格

日本電子(JEOL)・表面分析設備(XPS/SIMS)

配備半球型分析器與蕭特基場發射電子槍的歐傑微探儀,分析奈米~微米區域的化學鍵結狀態。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

JAMP-9510F 是日本電子(JEOL)的場發射型歐傑微探儀。以電子束照射樣品,分析從樣品表面放出的歐傑電子,以調查表面微小區域的元素。

採用蕭特基場發射型電子槍,可輸出媲美 EPMA 的穩定大電流。二次電子影像解析度為 3nm(25kV、10pA),加速電壓 0.5~30kV,探針電流 10⁻¹¹~2×10⁻⁷A。以靜電半球型分析器(HSA)達到 0.05~0.6% 的高能量解析度。透過高精度的等中心(eucentric)樣品台與浮動式離子槍,也能分析過去難以處理的絕緣物。

以逐像素保存完整能譜的能譜影像(spectral imaging),可在量測後萃取元素並進行化學態分布圖分析,避免遺漏元素。用於半導體元件的截面分析、鋰離子電池材料(特別是鋰的偵測),以及判別碳同素異形體、評估絕緣物與半導體能隙的 REELS 分析。

主要規格

分析手法AES(歐傑電子能譜)
特點分析解析度 8 nm・影像解析度 3 nm・最大 200 nA
主要用途微小區域的組成・化學態分析

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

二次電子影像解析度 3nm,蕭特基 FE 電子槍
靜電半球型分析器(能量解析度 0.05~0.6%)
以浮動式離子槍分析絕緣物
能譜影像

主要用途

  • 半導體元件截面的元素分析
  • 以 REELS 評估能隙

製造商

日本電子(JEOL)(總部:日本)

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資料來源

  1. 日本電子(JEOL)官方產品頁面:JAMP-9510F