DRAMメーカー5社

DRAMは、キャパシタに蓄えた電荷の有無で情報を記憶する揮発性メモリで、PCやサーバー、スマートフォンの主記憶に使われます。1トランジスタ+1キャパシタの単純な構造で高密度化しやすい反面、電荷が漏れるため定期的なリフレッシュが必要です。製品は汎用のDDR、モバイル向けのLPDDR、GPU向けのGDDR、AI向けに積層したHBMに分かれます。生産は韓国・米国の大手3社に集中しており、微細化にはEUV露光の適用が進んでいます。

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主要特徴

キャパシタの電荷で記憶する揮発性メモリ、定期的なリフレッシュが必要
DDR・LPDDR・GDDR・HBMと用途別に規格が分かれる
AI向けHBMはDRAMチップを縦に積層したもの
生産は大手3社に集中し、微細化にEUVの適用が進む

よくある質問

DRAMとSRAMの違いは何ですか?▾
DRAMは1トランジスタ+1キャパシタで高密度・低コストですがリフレッシュが必要です。SRAMは6トランジスタ程度で構成され高速でリフレッシュ不要ですが、面積が大きく容量あたりのコストが高いため、プロセッサ内部のキャッシュに使われます。
HBMはDRAMの一種ですか?▾
はい。HBMは複数のDRAMダイをTSV(シリコン貫通電極)で積層し、プロセッサの近くに実装して広い帯域を得るDRAM製品です。

メーカー

5社の主要メーカー

Samsung Electronics(サムスン電子)韓国

世界最大のメモリメーカーであり、先端ロジックファウンドリでもあるIDM。DRAM・NANDフラッシュで市場をリードし、3nmプロセスでTSMCと競合。

メモリ
DRAMNANDフラッシュHBM(高帯域メモリ)
ロジックファウンドリ
3nmプロセス5nmプロセスExynos SoC
  • •DRAM市場シェア約43%、NANDフラッシュ約33%の世界トップ
  • •メモリとロジックの両方を製造するIDM(垂直統合)
会社詳細
SK hynix(SKハイニックス)韓国

世界第2位のDRAMメーカー、第3位のNANDフラッシュメーカー。AI/HPC向けHBM(高帯域メモリ)で業界をリード。

メモリ
DRAMHBM3/HBM3ENANDフラッシュ
  • •DRAM市場シェア約28%の世界第2位
  • •HBM(高帯域メモリ)で技術リーダーシップ
会社詳細
Micron Technology(マイクロン)米国

米国最大のメモリメーカー。DRAM、NANDフラッシュの両方を製造し、データセンター、自動車、産業用途に強み。

メモリ
DRAMNANDフラッシュ3D XPoint(開発終了)
  • •DRAM市場シェア約23%の世界第3位
  • •米国唯一の大手メモリメーカー
会社詳細
Nanya Technology(南亜科技)台湾

台湾のDRAM専業IDM。フォルモサ(台塑)グループに属し、DDR4/DDR5などの汎用・特定用途DRAMを自社ファブで製造する。

DRAM
DDR4 DRAMDDR5 DRAMモバイル/特定用途DRAM
  • •DRAM専業の設計・製造一貫体制
  • •DDR4/DDR5など世代を跨ぐ製品展開
会社詳細
Winbond(華邦電子)台湾

台湾のメモリIDM。特定用途向け(スペシャルティ)DRAMやモバイル/組み込みDRAM、シリアルNORフラッシュを自社製造し、車載・IoT・民生向けに供給する。

メモリ
スペシャルティDRAMモバイルDRAMシリアルNORフラッシュ
  • •スペシャルティDRAMとシリアルNORに強み
  • •車載・組み込み・IoT向けの高信頼メモリ
会社詳細

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