次世代メモリ（MRAM・ReRAM・FeRAM）メーカー4社
次世代メモリは、DRAMとフラッシュの弱点を補うことを狙った新しい記憶方式のメモリの総称です。磁化の向きで記憶するMRAM、抵抗値の変化を使うReRAM、強誘電体の分極を使うFeRAM、結晶と非晶質の相変化を使うPCMが代表です。いずれも不揮発でありながらフラッシュより高速・低電圧で書き換えられる特長があり、現在はマイコンやSoCに埋め込む組み込みメモリ（eMRAM・eReRAM）としての採用が中心です。ファウンドリが製造プロセスの選択肢として提供している点も特徴です。
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主要特徴
MRAM・ReRAM・FeRAM・PCMが代表的な方式
不揮発でフラッシュより高速・低電圧に書き換えられる
マイコンやSoCへの組み込みメモリとしての採用が中心
ファウンドリが製造プロセスの選択肢として提供している
メーカー
4社の主要メーカー
Infineon Technologiesドイツ
欧州最大の半導体メーカー。パワー半導体（IGBT・SiC MOSFET）・マイコン・セキュリティICで世界トップクラス。車載・産業・IoT向けに強み。
パワー半導体
IGBTSiC MOSFETGaN
マイコン
AURIX（車載）PSoC
セキュリティIC
TPMSLE97
- •パワー半導体（IGBT・SiC）で世界シェア首位
- •車載マイコン（AURIX）・車載セキュリティICの業界標準
TSMC（台湾積体電路製造）台湾
世界最大の半導体ファウンドリ。3nm、5nm、7nmなど最先端プロセスノードで業界をリード。Apple、NVIDIA、AMDなど主要ファブレス企業の製造パートナー。
先端ロジックチップ製造
3nmプロセス5nmプロセス7nmプロセス
主要顧客チップ
Apple AシリーズApple MシリーズNVIDIA GPUAMD Ryzen
- •ファウンドリ市場シェア約60%の圧倒的トップポジション
- •3nm/5nm最先端プロセスの量産化リーダー
GlobalFoundries米国
世界第3位のファウンドリ。AMD・IBM半導体部門を統合して設立。12nm以上の成熟ノードとRF-SOI・FD-SOI特殊プロセスに特化。2021年にNASDAQ上場。
主力プロセス
12LP+（FinFET）22FDX（FD-SOI）RF-SOI
- •RF-SOI・FD-SOIプロセスで世界的な差別化ポジション
- •成熟ノード（12nm以上）の車載・IoT向け生産能力
Samsung Electronics（サムスン電子）韓国
世界最大のメモリメーカーであり、先端ロジックファウンドリでもあるIDM。DRAM・NANDフラッシュで市場をリードし、3nmプロセスでTSMCと競合。
メモリ
DRAMNANDフラッシュHBM（高帯域メモリ）
ロジックファウンドリ
3nmプロセス5nmプロセスExynos SoC
- •DRAM市場シェア約43%、NANDフラッシュ約33%の世界トップ
- •メモリとロジックの両方を製造するIDM（垂直統合）