NANDフラッシュメーカー6社
NANDフラッシュは、電源を切ってもデータを保持する不揮発性メモリで、SSD・スマートフォン・メモリカードのストレージに使われます。メモリセルを直列につないだ構造で高密度化に向き、現在はセルを数百層に積み上げる3D NANDが主流です。1セルに記憶するビット数によりSLC・MLC・TLC・QLCに分かれ、ビット数が多いほど容量あたりのコストは下がる一方、書き換え耐性と速度は低下します。製品化には寿命や誤りを管理するコントローラICが欠かせません。
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主要特徴
SSD・スマートフォンのストレージを担う不揮発性メモリ
セルを数百層に積み上げる3D NANDが主流
SLC・MLC・TLC・QLCと1セルのビット数で分類される
書き換え寿命を管理するコントローラICと組み合わせて使う
よくある質問
NANDフラッシュとNORフラッシュの違いは？▾
NANDはセルを直列に並べて大容量・低コストを実現し、データ保存に向きます。NORはセルを並列に並べてランダム読み出しが速く、プログラムをそのまま実行できるため、マイコンや車載機器のコード格納に使われます。
メーカー
6社の主要メーカー
Samsung Electronics（サムスン電子）韓国
世界最大のメモリメーカーであり、先端ロジックファウンドリでもあるIDM。DRAM・NANDフラッシュで市場をリードし、3nmプロセスでTSMCと競合。
メモリ
DRAMNANDフラッシュHBM（高帯域メモリ）
ロジックファウンドリ
3nmプロセス5nmプロセスExynos SoC
- •DRAM市場シェア約43%、NANDフラッシュ約33%の世界トップ
- •メモリとロジックの両方を製造するIDM（垂直統合）
SK hynix（SKハイニックス）韓国
世界第2位のDRAMメーカー、第3位のNANDフラッシュメーカー。AI/HPC向けHBM（高帯域メモリ）で業界をリード。
メモリ
DRAMHBM3/HBM3ENANDフラッシュ
- •DRAM市場シェア約28%の世界第2位
- •HBM（高帯域メモリ）で技術リーダーシップ
キオクシア（Kioxia）日本
旧東芝メモリ。NAND型フラッシュメモリの発明企業として世界第2位のシェアを持つ。BiCS FLASH（3D NAND）技術でスマホ・SSD・データセンター向けに供給。
NANDフラッシュ
BiCS FLASH 3D NANDUFSeMMC
SSD
エンタープライズSSDクライアントSSD
- •NAND型フラッシュメモリの発明企業（1987年東芝）
- •BiCS FLASH（3D NAND）で世界第2位のシェア
Micron Technology（マイクロン）米国
米国最大のメモリメーカー。DRAM、NANDフラッシュの両方を製造し、データセンター、自動車、産業用途に強み。
メモリ
DRAMNANDフラッシュ3D XPoint（開発終了）
- •DRAM市場シェア約23%の世界第3位
- •米国唯一の大手メモリメーカー
Macronix（旺宏電子）台湾
台湾の不揮発性メモリ専業IDM。NORフラッシュで世界トップクラスのシェアを持ち、車載・産業・民生向けにNAND・ROMも供給する。
不揮発性メモリ
NORフラッシュNANDフラッシュマスクROM
- •NORフラッシュで世界トップクラスのシェア
- •車載・産業向けの高信頼メモリに強み
Winbond（華邦電子）台湾
台湾のメモリIDM。特定用途向け（スペシャルティ）DRAMやモバイル/組み込みDRAM、シリアルNORフラッシュを自社製造し、車載・IoT・民生向けに供給する。
メモリ
スペシャルティDRAMモバイルDRAMシリアルNORフラッシュ
- •スペシャルティDRAMとシリアルNORに強み
- •車載・組み込み・IoT向けの高信頼メモリ