RF半導体製造装置（GaN/GaAs）メーカー2社

RF半導体製造装置は、GaN（窒化ガリウム）・GaAs（砒化ガリウム）・InP（リン化インジウム）などの化合物半導体を基板とし、高周波帯（マイクロ波・ミリ波）で動作するパワーアンプ・スイッチ・LNAなどを製造する装置群です。5G通信基地局（3.5〜39GHz）・衛星通信・車載レーダー・防衛用途が主要市場です。GaN-on-SiC（高出力・高周波特性）とGaN-on-Si（低コスト量産）の2アプローチがあり、それぞれMOCVD（有機金属化学気相成長）エピタキシャル成長条件と基板処理が異なります。ゲート長100nm以下のサブマイクロメートル加工、GaNエッチングの高選択比、ゲートリセス形成などに専用の装置精度が求められます。