RF半導体製造装置（GaN/GaAs）メーカー3社
RF半導体製造装置は、GaN（窒化ガリウム）・GaAs（砒化ガリウム）・InP（リン化インジウム）などの化合物半導体を基板とし、高周波帯（マイクロ波・ミリ波）で動作するパワーアンプ・スイッチ・LNAなどを製造する装置群です。5G通信基地局（3.5〜39GHz）・衛星通信・車載レーダー・防衛用途が主要市場です。GaN-on-SiC（高出力・高周波特性）とGaN-on-Si（低コスト量産）の2アプローチがあり、それぞれMOCVD（有機金属化学気相成長）エピタキシャル成長条件と基板処理が異なります。ゲート長100nm以下のサブマイクロメートル加工、GaNエッチングの高選択比、ゲートリセス形成などに専用の装置精度が求められます。
スペック比較
このページの機種は工程が異なります。まず工程で絞り込み、同じ工程の機種どうしを比較してください。
| 工程 | メーカー | 型番 | 主要用途 |
|---|---|---|---|
| GaN エピ成長（MOCVD） | Veeco Instruments | Propel® GaN MOCVD | 5G RF・GaN パワーデバイスのエピ成長 |
| AIXTRON | G10-GaN | GaN パワー・RF デバイスのエピ成長 | |
| エッチング | Plasma-Therm Japan | VERSALINE® ICP | GaN など化合物半導体の RF デバイス加工 |
GaN エピ成長（MOCVD）：2機種の比較
| 項目 | Veeco InstrumentsPropel® GaN MOCVD | AIXTRONG10-GaN |
|---|---|---|
| 方式 | MOCVD | MOCVD（全自動クラスター） |
| 対応ウェハ径 | 200 mm | 150 mm／200 mm |
| 主要用途 | 5G RF・GaN パワーデバイスのエピ成長 | GaN パワー・RF デバイスのエピ成長 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
| 方式 | MOCVD |
| 対応ウェハ径 | 200 mm |
| 主要用途 | 5G RF・GaN パワーデバイスのエピ成長 |
| 方式 | MOCVD（全自動クラスター） |
| 対応ウェハ径 | 150 mm／200 mm |
| 主要用途 | GaN パワー・RF デバイスのエピ成長 |
| 方式 | ICP エッチング／イオンビームエッチング |
| 主要用途 | GaN など化合物半導体の RF デバイス加工 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
3社の主要メーカー
MOCVD・MBE・ALDなど薄膜エピタキシャル成長装置の専業メーカー。LED、化合物半導体、先端ロジック向けの精密成膜技術を提供。
- •MOCVD装置でグローバルトップシェア
- •MBE・ALDを含む多様な薄膜成長技術ポートフォリオ
化合物半導体・MEMS・先端パッケージング向けのドライエッチング・PECVD装置を専門とする米 Plasma-Therm の日本法人。R&D および中小量産向けで存在感。
- •化合物半導体（GaN・SiC）・MEMS 向けドライエッチング専門
- •R&D および中小量産プラットフォームに強み
MOCVD・CVD装置の世界的リーダー。GaN LED・SiCエピタキシー・III-V族化合物半導体デバイスの量産に不可欠なエピタキシャル成長装置を提供する。
- •MOCVD装置で世界トップシェア（GaN LED・GaN HEMT）
- •SiC・InP・GaAsなど化合物半導体の幅広いプロセスに対応
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