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SiCパワー半導体製造装置メーカー4社
SiCパワー半導体製造装置は、シリコンカーバイド（SiC）を基板材料とするパワーデバイス（SiC-MOSFET・SiC-SBDなど）の製造に特化した装置群です。SiCはシリコンに比べてバンドギャップが約3倍広く、絶縁破壊電界が約10倍高いため、高耐圧・高温動作・低損失のスイッチングデバイスが実現できます。製造では高温エピタキシャル成長（1400〜1600°C以上のCVD）、高エネルギーイオン注入（Al/N）、高温アクティベーションアニール（1600〜1800°C）など、Siとは異なる専用プロセスが必要です。EV（電気自動車）インバータ・太陽光発電・産業用電源向けの需要拡大を背景に、6インチから8インチへのウェハ大口径化と製造コスト削減が最重要課題です。
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