SEMICONDUCTOR EQUIPMENT

ナノインプリントリソグラフィ(NIL)メーカー1

ナノインプリントリソグラフィ(NIL:Nanoimprint Lithography)は、マスク(テンプレート)のナノ構造パターンを紫外線硬化樹脂などの材料に直接押し付けてパターンを転写するリソグラフィ技術です。光の回折限界に縛られず、10nm以下の微細パターンを比較的低コストで形成できる可能性があります。EUV露光と比較して装置コストが低い一方、スループット・テンプレート管理・欠陥制御に課題があります。NAND型フラッシュメモリのホールパターン形成への量産適用が進んでおり、既存DUV露光との組み合わせ(ハイブリッドリソグラフィ)も検討されています。パターン転写精度はテンプレートの精度と離型性、樹脂材料の物性が決定します。

メーカー 1関連カテゴリ 3

メーカー

1社の主要メーカー

キヤノン(Canon)日本

i線・KrFステッパーを長年供給する露光装置メーカー。近年はナノインプリント・リソグラフィ(NIL)を量産化し、EUVに代わる新たな微細化ルートとして注目される。

ステッパー
FPA-5520iVFPA-6300ES6a
ナノインプリント装置
FPA-1200NZ2C
  • i線・KrFステッパーの世界的プレーヤー
  • ナノインプリント・リソグラフィ(NIL)の商用化で先行

関連カテゴリ

DUV露光装置
EUV露光装置
i線ステッパー

関連用語

EUV露光とは →DUV露光とは →i線ステッパーとは →液浸リソグラフィとは →フォトマスクとは →フォトレジストとは →コーター/デベロッパとは →High-NA EUVとは →レチクルとは →EUV光源とは →ナノインプリントリソグラフィ(NIL)とは →

比較・違いを学ぶ

EUV露光装置とDUV露光装置の違い
いずれもフォトレジスト上に回路パターンを転写する露光装置ですが、光源の波長と装置構成が根本的に異なります。EUVは13.5nmの極紫外線で単一露光による微細化が
High-NA EUVと従来EUVの違い(NA=0.55 vs NA=0.33)
EUV露光装置は現在、「従来EUV(NA=0.33、ASMLのNXEシリーズ)」と「High-NA EUV(NA=0.55、ASMLのEXEシリーズ)」の2世代
ArF露光とKrF露光の違い(DUV露光装置比較)
ArFとKrFはどちらもDUV(深紫外線)エキシマレーザーを光源とするフォトリソグラフィ装置ですが、光源波長が根本的に異なります。ArF(フッ化アルゴン)は19
シングルパターニングとマルチパターニングの違い
露光装置の解像度には物理的な限界(回折限界)があり、1回の露光ではそのままでは形成できない微細パターンを実現するために開発されたのがマルチパターニング技術です。
ナノインプリントとEUVの違い(次世代リソグラフィ比較)
ナノインプリントリソグラフィ(NIL)とEUV露光はいずれも半導体製造における微細化を実現するリソグラフィ技術ですが、パターン転写の原理が根本的に異なります。E
ポジ型レジストとネガ型レジストの違い(フォトレジストの比較)
フォトレジストは露光で溶解特性が変化する感光性材料で、ポジ型は露光部が現像液に溶け(マスクの透過部がパターンとして残る逆)、ネガ型は露光部が硬化して残り未露光部
← 半導体装置カテゴリ一覧に戻る