ナノインプリントリソグラフィ（NIL）メーカー3社
ナノインプリントリソグラフィ（NIL：Nanoimprint Lithography）は、マスク（テンプレート）のナノ構造パターンを紫外線硬化樹脂などの材料に直接押し付けてパターンを転写するリソグラフィ技術です。光の回折限界に縛られず、10nm以下の微細パターンを比較的低コストで形成できる可能性があります。EUV露光と比較して装置コストが低い一方、スループット・テンプレート管理・欠陥制御に課題があります。NAND型フラッシュメモリのホールパターン形成への量産適用が進んでおり、既存DUV露光との組み合わせ（ハイブリッドリソグラフィ）も検討されています。パターン転写精度はテンプレートの精度と離型性、樹脂材料の物性が決定します。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | キヤノン（Canon）FPA-1200NZ2C | EV GroupHERCULES® NIL 300 mm |
|---|---|---|
| 方式 | ナノインプリント（ステップ＆リピート） | UV ナノインプリント（SmartNIL・ウェーハ一括） |
| 特徴 | 光学系を介さず低消費電力・低コスト | 前処理を統合したモジュール構成・200/300 mm ブリッジ |
| 主要用途 | 先端ロジック・メモリの回路形成 | AR/VR 光学素子・3D センサー・ナノフォトニクス |
1機種だけが掲載している項目（1件）
| 最小線幅 | 14 nm（5nm ノード相当） | — |
|---|
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
| 方式 | ナノインプリント（ステップ＆リピート） |
| 最小線幅 | 14 nm（5nm ノード相当） |
| 特徴 | 光学系を介さず低消費電力・低コスト |
| 主要用途 | 先端ロジック・メモリの回路形成 |
| 方式 | UV ナノインプリント（SmartNIL・ウェーハ一括） |
| 特徴 | 前処理を統合したモジュール構成・200/300 mm ブリッジ |
| 主要用途 | AR/VR 光学素子・3D センサー・ナノフォトニクス |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
3社の主要メーカー
i線・KrFステッパーを長年供給する露光装置メーカー。近年はナノインプリント・リソグラフィ（NIL）を量産化し、EUVに代わる新たな微細化ルートとして注目される。
- •i線・KrFステッパーの世界的プレーヤー
- •ナノインプリント・リソグラフィ（NIL）の商用化で先行
オーストリアを拠点とするウェーハボンディングおよびリソグラフィ装置の世界的リーダー。先端パッケージングおよびMEMS製造に強み。
- •ウェーハボンディング技術における世界トップシェア
- •2.5D/3Dパッケージング向けソリューション
2004年設立のナノインプリント専業企業。独自開発のナノインプリント装置の販売と、試作から量産までの受託加工を行い、メタレンズや AR ウェーブガイドなどの光学製品も手がける。富山に工場を持つ。
- •ナノインプリント装置の自社開発
- •試作から量産までのナノインプリント受託
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メーカー 3 社