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マスク描画装置(EB描画)メーカー3

マスク描画装置(EB描画装置)は、電子線(EB:Electron Beam)を使用してフォトマスクブランク上に回路パターンを高精度で描画する装置です。EUV・ArF液浸露光に対応した最先端マスクの製造に不可欠で、サブナノメートルの位置精度が求められます。ニューフレアテクノロジー(NuFlare Technology)が量産向けEB描画装置で世界トップシェアを持ち、日本電子(JEOL)が研究・試作向け装置で強みを発揮します。

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主要特徴

電子線(EB)でマスクブランクにナノメートル精度のパターンを描画
EUV・ArF液浸対応マスクの製造に不可欠な装置
ニューフレアテクノロジー(NuFlare)が量産向け世界シェア首位
JEOL(日本電子)が研究・試作向けで国際的な存在感
Multi-beam描画(IMS)でスループット向上が進行中

よくある質問

マスク描画装置とは何ですか?
マスク描画装置は、電子線(EB)を用いてフォトマスク(レチクル)ブランク上に半導体回路パターンを描画する装置です。EUV・ArF液浸露光用の最先端フォトマスク製造に不可欠で、ナノメートル以下の位置精度が要求されます。
マスク描画装置の主要メーカーはどこですか?
量産向けEB描画装置ではニューフレアテクノロジー(NuFlare Technology:東芝・日立グループ系)が世界シェア首位を持ちます。研究・試作向けでは日本電子(JEOL)が競争力を持ち、ドイツのIMS Nanofabricationもマルチビーム描画で台頭しています。
EUV用マスクの描画精度はなぜ重要ですか?
EUV露光(NA=0.33)では4倍縮小でウェハに転写されるため、マスク上の1nmの誤差はウェハ上の0.25nmの誤差になります。さらにHigh-NA EUV(NA=0.55)では8倍縮小になり、マスク上の精度要求がさらに厳しくなります。

メーカー

3社の主要メーカー

ニューフレアテクノロジー日本

半導体マスク(レチクル)製造用の電子線(EB)描画装置の世界最大手。浜松ホトニクスグループ。EUV対応マスクブランクスへのパターン描画に不可欠な装置を提供。

EB描画装置
EBM-9000シリーズ(EUV対応)EBM-8000シリーズ(ArF対応)
CVD装置
マスク修正用CVD装置
  • EBマスク描画装置(マルチビームEB)で世界最大手・国内独占的地位
  • EUV世代対応の高精度マルチビームEB描画システムを展開
日本電子(JEOL)日本

電子顕微鏡・電子線描画装置・分析機器の総合メーカー。半導体分野ではマスク描画用EB装置・電子線露光装置、研究用TEM/SEMを提供。

EB描画装置
JBX-9500FS(マスク・直接描画)JBX-8100FS
電子顕微鏡
JEM(TEM)JSM(SEM)
  • 電子線描画装置(JBX シリーズ)で研究・試作向け市場を牽引
  • TEM/SEMなど電子顕微鏡で世界トップシェアを持つ
東光高岳日本

電力用変圧器・開閉装置を主力とする重電メーカー。光応用計測やレーザ加工の技術を持ち、フォトマスク関連を含む精密計測・描画分野にも製品を展開している。

計測・光応用機器
光応用計測装置レーザ応用装置
  • 電力機器で培った高信頼設計
  • 光応用計測・レーザ技術の蓄積

関連カテゴリ

マスク修正装置

関連用語

フォトマスクとは →EUV露光とは →DUV露光とは →i線ステッパーとは →液浸リソグラフィとは →フォトレジストとは →コーター/デベロッパとは →High-NA EUVとは →レチクルとは →EUV光源とは →ナノインプリントリソグラフィ(NIL)とは →

比較・違いを学ぶ

EUV露光装置とDUV露光装置の違い
いずれもフォトレジスト上に回路パターンを転写する露光装置ですが、光源の波長と装置構成が根本的に異なります。EUVは13.5nmの極紫外線で単一露光による微細化が
High-NA EUVと従来EUVの違い(NA=0.55 vs NA=0.33)
EUV露光装置は現在、「従来EUV(NA=0.33、ASMLのNXEシリーズ)」と「High-NA EUV(NA=0.55、ASMLのEXEシリーズ)」の2世代
ArF露光とKrF露光の違い(DUV露光装置比較)
ArFとKrFはどちらもDUV(深紫外線)エキシマレーザーを光源とするフォトリソグラフィ装置ですが、光源波長が根本的に異なります。ArF(フッ化アルゴン)は19
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露光装置の解像度には物理的な限界(回折限界)があり、1回の露光ではそのままでは形成できない微細パターンを実現するために開発されたのがマルチパターニング技術です。
ナノインプリントとEUVの違い(次世代リソグラフィ比較)
ナノインプリントリソグラフィ(NIL)とEUV露光はいずれも半導体製造における微細化を実現するリソグラフィ技術ですが、パターン転写の原理が根本的に異なります。E
ポジ型レジストとネガ型レジストの違い(フォトレジストの比較)
フォトレジストは露光で溶解特性が変化する感光性材料で、ポジ型は露光部が現像液に溶け(マスクの透過部がパターンとして残る逆)、ネガ型は露光部が硬化して残り未露光部
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