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マスク修正装置メーカー3

マスク修正装置は、製造後のフォトマスク(レチクル)に存在する欠陥を原子・ナノメートルレベルで除去・補修する装置です。高価なフォトマスク(EUVマスクは1枚1億円超)の廃棄を避けるために不可欠な工程で、FIB(集束イオンビーム)や電子ビームを用いた精密加工が行われます。Zeiss(独)やNanometrics(米)などが主要サプライヤーです。

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主要特徴

FIB・電子ビームでマスク上の欠陥を原子レベルで除去・補修
EUVマスク(1枚1億円超)の廃棄回避に不可欠なコスト管理手段
Zeiss(独)が先端マスク修正装置で世界的な存在感を持つ
EUV世代では欠陥サイズが縮小し修正難易度が大幅に上昇
ペリクル(保護膜)との組み合わせで製造後の汚染対策も強化

よくある質問

マスク修正装置とは何ですか?
マスク修正装置は、フォトマスクの欠陥(黒欠陥・白欠陥)をFIB(集束イオンビーム)や電子ビームで精密に除去・補修する装置です。EUVマスクは1枚1億円を超えるため、欠陥修正による再利用は非常に重要なコスト管理手段です。
マスク修正装置の主要メーカーはどこですか?
Carl Zeiss(独)がEUV・ArF対応マスク修正装置で世界トップシェアを持ちます。Focused Ion Beam(FIB)ベースの修正装置ではFEIやAgilent由来の技術も使われています。
EUV世代でマスク修正が難しくなる理由は何ですか?
EUV露光では最小パターンサイズが数nm台になるため、修正できる欠陥サイズの下限も極めて小さくなります。また、EUVマスクはMo/Siの多層反射膜構造のため、FIBによる修正がマスク下層の反射特性に影響する可能性があり、修正後の光学特性検証も必要です。

メーカー

3社の主要メーカー

ホロン日本

電子ビーム応用装置のメーカー。フォトマスクの欠陥レビューSEMやマスク欠陥修正装置、測長SEMなどを供給し、マスク製造の品質保証工程を支える。

マスク検査・修正
マスク欠陥レビューSEMマスク欠陥修正装置
計測装置
測長SEM(CD-SEM)
  • 電子ビーム光学系の自社設計
  • マスク欠陥のレビューと修正を担う装置群
カールツァイス(半導体)ドイツ

ASMLのEUV光学系を独占供給するドイツの精密光学メーカー。EUVリソグラフィ用投影レンズ・照明光学系・ウェーハ検査用電子顕微鏡(ORION)も展開。

EUV光学系
EUV投影レンズ(ASML向け)EUV照明光学系
検査・計測
ORION(イオン顕微鏡)Crossbeam(FIB-SEM)
  • EUV露光装置用投影光学系をASMLに独占供給(戦略的不可欠パートナー)
  • 半導体計測用FIB-SEMシステム(Crossbeam)で業界標準機
日本電子(JEOL)日本

電子顕微鏡・電子線描画装置・分析機器の総合メーカー。半導体分野ではマスク描画用EB装置・電子線露光装置、研究用TEM/SEMを提供。

EB描画装置
JBX-9500FS(マスク・直接描画)JBX-8100FS
電子顕微鏡
JEM(TEM)JSM(SEM)
  • 電子線描画装置(JBX シリーズ)で研究・試作向け市場を牽引
  • TEM/SEMなど電子顕微鏡で世界トップシェアを持つ

関連カテゴリ

マスク描画装置(EB描画)

関連用語

マスク修正とは →EUV露光とは →DUV露光とは →i線ステッパーとは →液浸リソグラフィとは →フォトマスクとは →フォトレジストとは →コーター/デベロッパとは →High-NA EUVとは →レチクルとは →EUV光源とは →ナノインプリントリソグラフィ(NIL)とは →

比較・違いを学ぶ

EUV露光装置とDUV露光装置の違い
いずれもフォトレジスト上に回路パターンを転写する露光装置ですが、光源の波長と装置構成が根本的に異なります。EUVは13.5nmの極紫外線で単一露光による微細化が
High-NA EUVと従来EUVの違い(NA=0.55 vs NA=0.33)
EUV露光装置は現在、「従来EUV(NA=0.33、ASMLのNXEシリーズ)」と「High-NA EUV(NA=0.55、ASMLのEXEシリーズ)」の2世代
ArF露光とKrF露光の違い(DUV露光装置比較)
ArFとKrFはどちらもDUV(深紫外線)エキシマレーザーを光源とするフォトリソグラフィ装置ですが、光源波長が根本的に異なります。ArF(フッ化アルゴン)は19
シングルパターニングとマルチパターニングの違い
露光装置の解像度には物理的な限界(回折限界)があり、1回の露光ではそのままでは形成できない微細パターンを実現するために開発されたのがマルチパターニング技術です。
ナノインプリントとEUVの違い(次世代リソグラフィ比較)
ナノインプリントリソグラフィ(NIL)とEUV露光はいずれも半導体製造における微細化を実現するリソグラフィ技術ですが、パターン転写の原理が根本的に異なります。E
ポジ型レジストとネガ型レジストの違い(フォトレジストの比較)
フォトレジストは露光で溶解特性が変化する感光性材料で、ポジ型は露光部が現像液に溶け(マスクの透過部がパターンとして残る逆)、ネガ型は露光部が硬化して残り未露光部
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