LPKF Laser & Electronics/ガラスコア基板・TGV加工装置

NEXAR LIDE

レーザー誘起ディープエッチング(LIDE)で、ガラスに貫通ビア(TGV)・ブラインドビア・キャビティを形成する装置。

NEXAR LIDEとは

NEXAR LIDE は、LPKF のガラス基板向け装置 NEXAR シリーズのうち、ガラスに貫通ビア(TGV)、ブラインドビア、キャビティなどの微細構造を形成する装置です。LPKF はこのシリーズを、先端パッケージングのガラス基板向けに量産まで対応できるシステムプラットフォームと位置づけています。

LPKF によると、ビア径は 5µm から、アスペクト比は最大 1:50、側壁の粗さは Ra 0.1µm 未満で、515 × 510mm のパネルで位置精度 ±5µm を実現します。0.2〜1.1mm のガラス厚を 1 ショットで処理でき、量産時の不良率(NG 率)は 5ppm 未満としています。

同じ装置で、ブラインドビア、マイクロ流路、光学用 V 溝、キャビティ、ダイシングストリート、多段の 2.5D 構造も 1 枚の基板上に形成できます。NEXAR シリーズは手動ロードの M、ウェーハ自動搬送(EFEM 統合)の S、パネル自動化の P の 3 構成があり、RDL 除去の NEXAR Ablate、ガラス接合の NEXAR Bond と組み合わせられます。

主な特長

  • •ビア径 5µm から、アスペクト比 最大 1:50
  • •側壁粗さ Ra 0.1µm 未満、515 × 510mm パネルで位置精度 ±5µm
  • •ガラス厚 0.2〜1.1mm を 1 ショットで処理
  • •研究開発用(M)・ウェーハ量産(S)・パネル量産(P)の 3 構成

主な仕様

方式レーザー誘起ディープエッチング(LIDE)
ビア直径 5 µm から、アスペクト比 最大 1:50
対応基板ウェーハ 最大 300 mm/パネル 515 × 510 mm
ガラス厚0.2〜1.1 mm(1 ショット処理)
位置精度±5 µm(515 × 510 mm パネル)

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •ガラスコア基板の貫通ビア(TGV)形成
  • •ガラスインターポーザ・キャビティ・光学用 V 溝の加工

掲載カテゴリ

NEXAR LIDEは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

LPKF Laser & Electronics

ドイツのレーザー加工装置メーカー。半導体分野では、レーザー誘起ディープエッチング(LIDE)でガラスに貫通ビア(TGV)やキャビティを形成する NEXAR シリーズを、ガラス基板を使う先端パッケージング向けに展開する。

LPKF Laser & Electronics の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

関連用語

出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-19
半導体製造装置の製品一覧へ →