ガラスコア基板・TGV加工装置メーカー3社

ガラスコア基板・TGV加工装置は、パッケージ基板の芯材(コア)を有機樹脂からガラスに置き換えるために、ガラスに貫通ビア(TGV)やキャビティを形成し、めっき・配線・検査を行う装置群です。ガラスは平坦で熱膨張が小さく、反りにくいため、AI向けの大型パッケージで微細な配線を作りやすくなります。ガラスは割れやすく、機械加工ではマイクロクラックが残るため、レーザーで改質してからエッチングでビアを開ける方式が使われます。

メーカー 3 社同じ分野の装置 6 カテゴリ
掲載する

主要特徴

パッケージ基板のコアを有機樹脂からガラスに置き換える
ガラスは平坦で熱膨張が小さく、大型基板でも反りにくい
TGVはレーザー改質+エッチングでクラックなく形成する
TGVへの銅めっき、ガラス上の配線、全面欠陥検査が続く工程
パネルレベル(515×510mm)での量産化が開発の焦点

よくある質問

なぜパッケージ基板にガラスを使うのですか?▾
AI向けのパッケージは大型化し、有機樹脂の基板では反りや寸法変化で微細配線が難しくなっています。ガラスは表面が平坦で熱膨張係数をシリコンに近づけられ、剛性も高いため、大型でも反りにくく、より細かい配線と高密度のビアを形成できます。
TGV(ガラス貫通ビア)はどうやって開けますか?▾
ドリルなどの機械加工やレーザーで直接穴を開けると、ガラスにマイクロクラックが残って割れの原因になります。そこで、レーザーでガラス内部を局所的に改質し、その部分だけをウェットエッチングで溶かして穴を開ける方式が使われています。微細で側壁の滑らかなビアを高アスペクト比で形成できます。

スペック比較

このページの機種は種類が異なります。まず種類で絞り込み、同じ種類の機種どうしを比較してください。

種類メーカー型番主要用途
ガラス基板加工LPKF Laser & ElectronicsNEXAR LIDE—
ガラス基板検査・めっきOnto InnovationPrimaScan™ Pガラスパネルの受け入れ品質管理
Lam ResearchPhoenix(パネル処理)パネル上のバンプ・RDL・TGV めっき

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

代表製品・スペック

製品写真
LPKF Laser & Electronics

NEXAR LIDE

レーザー誘起ディープエッチング(LIDE)で、ガラスに貫通ビア(TGV)・ブラインドビア・キャビティを形成する装置。

方式レーザー誘起ディープエッチング(LIDE)
ビア直径 5 µm から、アスペクト比 最大 1:50
対応基板ウェーハ 最大 300 mm/パネル 515 × 510 mm
ガラス厚0.2〜1.1 mm(1 ショット処理)
位置精度±5 µm(515 × 510 mm パネル)
製品写真
Onto Innovation

PrimaScan™ P

パネルレベルパッケージ向けのガラスパネル基板の全面欠陥・汚染検査装置。

対象ガラスパネル基板(AICS・FOPLP)
方式レーザー走査+イメージング
主要用途ガラスパネルの受け入れ品質管理
製品写真
Lam Research

Phoenix(パネル処理)

510 × 515mm パネル向けの全自動の縦型ウェット処理・めっき装置。レジスト処理・めっき・洗浄の機種がある。

対応基板510 × 515 mm パネル(薄ガラス対応)
ラインアップPhoenix VRT(レジスト処理)・ECD(めっき)・VCA(洗浄)
主要用途パネル上のバンプ・RDL・TGV めっき

※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

メーカー

3社の主要メーカー

LPKF Laser & Electronicsドイツ

ドイツのレーザー加工装置メーカー。半導体分野では、レーザー誘起ディープエッチング(LIDE)でガラスに貫通ビア(TGV)やキャビティを形成する NEXAR シリーズを、ガラス基板を使う先端パッケージング向けに展開する。

ガラス基板加工装置
NEXAR LIDENEXAR AblateNEXAR Bond
  • •LIDE によるチッピング・マイクロクラックのないガラス微細加工
  • •TGV 形成・RDL 除去・ガラス接合の3工程の装置を揃える
会社詳細
Onto Innovation米国

Rudolph Technologies と Nanometrics の統合で誕生した検査・計測メーカー。光学検査、膜厚計測、先端パッケージング計測に強み。

ウェハ検査装置
Dragonfly G3
膜厚・オーバーレイ計測
Atlas VFirefly
  • •光学ウェハ検査・膜厚計測で世界有数のポジション
  • •先端パッケージング(FO-WLP・HBM)向け計測ソリューション
会社詳細
Lam Research米国

エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング(ALE)技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。

エッチング装置
KiyoFlexVantexAkara
成膜装置
デポジションシステム
洗浄装置
ウェーハ洗浄装置
  • •エッチング装置で世界シェア約39%のトップポジション
  • •原子層エッチング(ALE)技術における技術リーダーシップ
会社詳細

同じ分野の装置カテゴリ

チップレット実装装置

チップレット実装装置とは、機能別に分割・個別製造した複数の小型チップ(チップレット)を1つのパッケージに統合する先端パッケージング装置です。

メーカー 4 社
HBM(高帯域幅メモリ)

HBM(High Bandwidth Memory:高帯域幅メモリ)は、複数のDRAMダイとロジック/ベースダイをTSV(貫通シリコン電極)で垂直に積層した3D積層メモリパッケージです。

メーカー 6 社
ハイブリッドボンディング装置

ハイブリッドボンディング装置とは、Cu-Cuの直接金属接合と酸化膜の直接接合を同時に行う先端パッケージング装置です。

メーカー 7 社
インターポーザー実装装置

インターポーザー実装装置とは、2.5D/3D IC構成において複数のチップ(ダイ)を単一の中間基板(インターポーザー)上に横並びで実装・接続する先端パッケージング装置です。

メーカー 5 社
パネルレベルパッケージ(FOPLP)装置

パネルレベルパッケージ(PLP・FOPLP)装置は、丸いウェーハの代わりに515×510mmや600×600mmといった四角い大型パネルの上で、チップの再配置・モールド・再配線層(RDL)形成・バンプ形成を行うための装置群です。

メーカー 5 社
TSV形成装置

TSV(Through Silicon Via)形成装置とは、シリコンウェハを垂直に貫通する微細な孔(ビア)を形成し、銅(Cu)を埋め込んで積層チップ間を直接電気接続する先端パッケージング技術の装置群です。

メーカー 8 社

関連用語

比較・違いを学ぶ

CoWoSとInFOの違い(TSMC先進パッケージング比較)
CoWoSとInFOは、いずれもTSMCが提供する先進パッケージング技術です。CoWoSはシリコンインターポーザーを介して複数チップを横に並べ高密度接続する2.…
→
HBM2EとHBM3の違い(世代別スペック比較)
HBM(High Bandwidth Memory)はDRAMを縦に積層しTSV(Through-Silicon Via)で接続した超高帯域メモリです。AI学習…
→
2.5Dパッケージングと3D ICパッケージングの違い
ムーアの法則の鈍化に伴い、異なる機能のチップを高密度で組み合わせる「先進パッケージング」が半導体の性能向上の主戦場になっています。2.5D実装(CoWoS・In…
→
TSVとワイヤーボンドの違い|接続密度・帯域幅・コストを比較
TSV(Through Silicon Via、シリコン貫通電極)とワイヤーボンディングはともに半導体チップと外部を電気接続する後工程技術ですが、接続方式・密度…
→
ハイブリッドボンディングとフリップチップボンディングの違い
どちらもダイとダイ、またはダイと基板を電気的に接続する実装技術ですが、接合メカニズムと達成できる接続密度が根本的に異なります。フリップチップははんだバンプ(直径…
→
CoWoS vs SoIC:TSMCの先端パッケージング技術の違い
CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)とSoIC(System on Integrated Chips)はどちらもTSMCの先端パッ…
→
← 半導体装置カテゴリ一覧に戻る