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ダイオード I–V 特性・順方向電圧 計算ツール

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要点

ダイオードの電流は I = Is(exp(V/nVt) − 1) で電圧に対して指数関数的に増え、室温・n=1 なら約60mV で10倍になります。このためシリコンダイオードの順方向電圧は電流が何桁変わっても0.6〜0.8V 付近に収まります。順方向電圧は温度が上がると約 −2mV/℃ で下がり、この性質は温度センサに使われます。

入力

10 mA での順方向電圧 Vf0.7332V
Vf の温度係数-1.54mV/℃
動作点の微分抵抗 rd5.557Ω
この温度での飽和電流 Is3.70×10⁻⁹A
熱電圧 kT/q25.69mV
0.7 V を加えたときの電流5.4mA
電流が10倍になる電圧(n·Vt·ln10)113.0mV/dec

逆方向の降伏と、低電流域の再結合電流(n≈2)・高注入効果の切り替わりは含みません。1つの n で全電流域を表す簡易モデルです。

I–V 特性(片対数)

10⁻⁶10⁻⁵10⁻⁴10⁻³10⁻²10⁻¹10⁰10¹10²10³10⁴00.511.522.53順方向電圧 [V]電流 [mA]
-40℃25℃125℃

電流ごとの順方向電圧

電流Vf(25℃)Vf(−40℃)Vf(125℃)
0.001 mA0.275 V0.472 V0.030 V
0.01 mA0.388 V0.560 V0.126 V
0.1 mA0.501 V0.648 V0.268 V
1 mA0.614 V0.737 V0.418 V
10 mA0.733 V0.832 V0.575 V
100 mA0.905 V0.978 V0.784 V
1000 mA1.603 V1.652 V1.520 V

ダイオードの電圧は電流の対数で決まる

pn 接合を流れる電流は、順方向電圧に対して指数関数的に増えます。室温で理想係数 n = 1 なら、電圧が約60mV上がるごとに電流が10倍になります。このためシリコンダイオードの順方向電圧は、電流が何桁も変わっても0.6〜0.8V付近に収まり、「ダイオードの電圧降下は約0.7V」という覚え方が成り立ちます。

順方向電圧は温度が上がると約 −2mV/℃ で下がります。この性質は温度センサ(チップ内のサーマルダイオード)に使われる一方、並列接続したダイオードでは熱い素子に電流が集中する熱暴走の原因にもなります。ショットキーバリアダイオードは金属と半導体の障壁が低いため順方向電圧が0.3〜0.5Vと低く、少数キャリアの蓄積がないので高速にスイッチできます。

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