電子親和能是指在半導體中從導帶底部（Ec）到真空能階的能量差，代表將導帶電子取出至真空所需的能量。單位為 eV，常以符號 χ（chi）表示，是異質接面與 MOS 界面設計不可或缺的物性值。
在接合不同半導體的異質接面中，由兩材料的電子親和能與能隙之差，決定界面處導帶與價帶的能帶不連續（能帶偏移，band offset）。這會左右 HEMT、化合物半導體雷射、太陽能電池的能帶設計。
在 MOS 結構中，半導體與閘極絕緣層的電子親和能之差決定了界面的障壁高度。在選擇 High-k 絕緣層時，為了抑制漏電流、取得足夠的導帶偏移，電子親和能是重要的選擇基準。