功函數是指將物質中的電子取出至真空所需的最小能量，定義為從費米能階到真空能階的能量差。單位為 eV，是表徵金屬與半導體電子性質的基本量。
金屬與半導體接觸時，兩者功函數的大小關係決定了會形成具整流性的蕭特基接面，還是電阻小的歐姆接面。在 MOS 電晶體中，閘極電極的功函數直接左右臨界電壓，因此先進節點會使用調整功函數的金屬閘極（功函數金屬，work function metal）。
就半導體而言，摻雜會使費米能階移動，因此實效功函數也會隨之改變。功函數的控制是降低接觸電阻、最佳化臨界電壓、設計 High-k／金屬閘極堆疊等直接關係到元件性能的重要技術課題。