蕭特基接面是指金屬與半導體接觸時，界面形成能量障壁（蕭特基能障），使電流容易往單一方向流動的整流性接面。也稱為蕭特基接觸，名稱來自約在1938年提出此理論的德國物理學家華特・蕭特基（Walter Schottky）。是與不論電流方向都能以低電阻導通的歐姆接觸相對的概念。
理想情況下，對n型半導體的能障高度φB，由金屬功函數φm與半導體電子親和力χ的差（φB＝φm−χ）決定（蕭特基－莫特定律）。不過在實際的矽或GaAs中，已知界面能階會使費米能階被固定，即使更換金屬，能障高度也幾乎不變（費米能階釘扎）。施加順向電壓時，半導體側的電子越過能障流向金屬（熱電子發射），逆向則幾乎沒有電流。與pn接面不同，它只靠多數載子運作，因此沒有少數載子的累積、切換速度快，且順向電壓在矽中約0.3～0.5V，比pn接面（約0.7V）低，這些是其特點。
代表性應用是蕭特基二極體（SBD），用於交換式電源的整流等。矽SBD的弱點是逆向漏電流大、耐壓低，但SiC SBD兼具600V以上的高耐壓與幾乎沒有逆向恢復電流的特性，廣泛用於電動車與太陽光電的逆變器。GaAs的MESFET與GaN的HEMT也以蕭特基接面作為閘極電極。能障高度與理想因子，以電流-電壓（I-V）特性或電容-電壓（C-V）特性評估。