GLOSSARY

ウェッジボンディングとは

Wedge Bonding
最終更新:2026-07-07ワイヤボンダー

定義・解説

ウェッジボンディング(Wedge Bonding)は、ワイヤボンディングの一方式で、超音波エネルギーと加圧のみ(ボールを形成せず)でワイヤを電極パッドに水平方向から接合する技術である。主にアルミ線(Al線)を使用し、常温でボンディングできることから、熱に弱いデバイスや大電流を扱うパワー半導体の接続に広く使われる。

ボールボンディングが放電でボールを形成して垂直に接合するのに対し、ウェッジボンディングはキャピラリー(ツール)でワイヤを押し付けながら超音波振動で金属間接合を形成するため、接合部の高さが低く、直線的な配線経路(低ループ)が得られる。アルミ線は太線化しやすく、径100〜500μmの太いアルミ線・リボン線を用いることで大電流通電に対応できる。

パワーモジュール(IGBT・SiC MOSFET)・車載インバータでは、高電流密度に耐えるアルミ太線・アルミリボンウェッジボンディングが標準的に使われており、EV・産業機器向けパワー半導体の信頼性を支える基盤技術となっている。近年は銅線ウェッジボンディングの採用も拡大している。

主要装置メーカーはKulicke & Soffa・ASMPT・新川(Shinkawa)で、パワー半導体向けには太径ワイヤに対応した専用の重ウェッジボンダーが提供されている。

設備の製造メーカー

Kulicke & Soffa米国

半導体パッケージング装置の世界的リーダー。ワイヤーボンディング、ダイボンディング、先端パッケージング装置で圧倒…

企業詳細を見る →
ASMPT香港

SMT(表面実装技術)と半導体パッケージング装置の世界的メーカー。先端パッケージングからSMT製造まで包括的な…

企業詳細を見る →
新川日本

日本を代表するワイヤーボンディング装置メーカー。高精度・高速ボンディング技術で、パワー半導体やLEDパッケージ…

企業詳細を見る →

関連カテゴリ

ワイヤボンダー

関連用語

ワイヤボンダーとは →ボールボンディングとは →パワーモジュールとは →SiC MOSFET(炭化ケイ素パワートランジスタ)とは →IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)とは →

同じトピックの用語

パッケージング のトピックで関連する用語です。

ダイボンダー 2とは →フリップチップとは →WLCSP(ウェハレベルチップスケールパッケージ)とは →QFP(クアッドフラットパッケージ)とは →QFNパッケージとは →BGA(ボールグリッドアレイ)とは →リードフレームとは →ダイボンディング(ダイアタッチ)とは →

同じトピックの企業

DISCO日本Besiオランダカイジョー日本東京精密(Accretech)日本Nordson米国TOWA日本

比較・違いを学ぶ

TSVとワイヤーボンドの違い|接続密度・帯域幅・コストを比較
TSV(Through Silicon Via、シリコン貫通電極)とワイヤーボンディングはともに半導体チップと外部を電気接続する後工程技術ですが、接続方式・密度
ハイブリッドボンディングとフリップチップボンディングの違い
どちらもダイとダイ、またはダイと基板を電気的に接続する実装技術ですが、接合メカニズムと達成できる接続密度が根本的に異なります。フリップチップははんだバンプ(直径
トランスファーモールドとコンプレッションモールドの違い
半導体パッケージの封止(モールド)工程には、金型内にEMC(エポキシモールドコンパウンド)を注入するトランスファーモールドと、金型内にEMCを直接充填・加圧する
BGAとQFNの違い(パッケージ形式の比較)
BGAは底面全体にはんだボールを格子状に配置し数百〜数千のI/Oを確保する高ピン数向けパッケージ、QFNは側面リードを持たず底面周辺の露出パッドで接続する小型・
SiPとSoCの違い(集積アプローチの比較)
SoCはCPU・GPU・メモリ・I/Oなどを単一のシリコンダイに集積するアプローチ、SiPは別々に作った複数のダイや受動部品を1つのパッケージ内に統合するアプロ
WLCSPとFOWLPの違い(ウェハレベルパッケージングの比較)
WLCSPはチップ面積内に端子を収めるファンイン型のウェハレベルパッケージ、FOWLPはチップ外側へ再配線を広げて端子数を増やすファンアウト型です。いずれもパッ
← 用語集に戻る