スピードファム

CMP(化学機械研磨)・両面研磨装置の専業メーカー。シリコンウェハの平坦化・エッジ研磨向け装置を中心に、日米で事業展開する。

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当サイトでの位置づけ

Semirai のウェハ製造装置カテゴリでは、CMP・研磨装置の専業メーカーとして、シリコンウェハの平坦化工程を支える立場にあります。

企業の強み

CMP・研磨装置の専業メーカー
ウェハ両面研磨・エッジ研磨に強み
日米両拠点での開発・製造体制

主要製品・ソリューション

研磨・平坦化装置

  • •CMP装置
  • •両面研磨装置
  • •エッジポリッシャー

スピードファムの製品

半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ
ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、スピードファムを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。
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関連用語

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CMP・平坦化・シリコンウェハ製造(結晶成長・スライス・研磨) のトピックで関連する用語です。

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比較・違いを学ぶ

Cu-CMPとW-CMPの違い(メタルCMPの比較)
メタルCMPは、配線を作るための「余分な金属を削り落とす」工程です。銅ダマシン配線の余剰Cu除去と、コンタクトプラグのタングステン除去という二大用途がありますが…
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ラッピングと両面研磨(DSP)の違い
どちらもウェハの表裏を同時に加工して平坦度を作る工程ですが、狙いが違います。ラッピングはスライス痕と厚みばらつきを短時間で除去する粗加工、両面研磨(DSP)はリ…
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セリアスラリーとシリカスラリーの違い(CMP砥粒の比較)
CMPスラリーの性能を決めるのは砥粒だけではありませんが、砥粒種の選択はプロセスの性格を大きく規定します。セリアとシリカは、同じ「ナノ粒子を分散させた研磨液」で…
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エピタキシャルウェハとポリッシュドウェハの違い
同じシリコンウェハでも、研磨しただけのポリッシュドウェハと、その上にエピタキシャル層を成長させたエピウェハでは、表層の素性がまったく違います。前者は「インゴット…
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CMPとエッチバックの違い|平坦化手法を比較
どちらもウェハ表面を平坦化する技術ですが、メカニズムが根本的に異なります。CMPは研磨剤(スラリー)と研磨パッドを使った化学・機械的研磨で、ナノメートル精度の大…
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CZ法とFZ法の違い(シリコン単結晶成長の比較)
CZ法(チョクラルスキー法)は石英ルツボの融液から種結晶を引き上げて単結晶を育てる方法、FZ法(フローティングゾーン法)はルツボを使わず帯溶融で単結晶化・精製す…
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