IIRW（IEEE集積信頼性ワークショップ）

正式名称

IEEE International Integrated Reliability Workshop

主催

IEEE

次回の会期

未発表（例年10月頃）

開催地

米国（カリフォルニア）

例年の開催

10月頃・米国（カリフォルニア）

分野

信頼性・メモリ

格付け

専門の国際会議集積回路の信頼性という特定のテーマに絞って開かれている国際会議のため、専門の国際会議としています。格付けの決め方

公式サイト

www.iirw.org（2026/10/24 確認）

• TDDB（酸化膜経時破壊）

  TDDB（Time-Dependent Dielectric Breakdown：経時的絶縁破壊）は、ゲート絶縁膜（ゲート酸化膜やHigh-k膜）に電界をかけ続けると、ある時間が経過した後に突然絶縁性を失い破壊に至る信頼性劣化現象です。

• NBTI（負バイアス温度不安定性）

  NBTI（Negative Bias Temperature Instability：負バイアス温度不安定性）は、pMOSFETに負のゲート電圧を高温で印加し続けると、しきい値電圧（Vth）が時間とともに上昇し、駆動能力が低下していく信頼性劣化現象です。

• ホットキャリア注入（HCI）

  ホットキャリア注入（HCI：Hot Carrier Injection）は、トランジスタのドレイン近傍の強い電界で加速された高エネルギーのキャリア（ホットキャリア）が、ゲート絶縁膜に飛び込んで界面準位やトラップを生成し、デバイス特性を経時的に劣化させる信頼性現象です。

• エレクトロマイグレーション

  エレクトロマイグレーション（Electromigration：EM）は、半導体チップの金属配線（主に銅）に高密度の電流が流れる際、電子の運動量移乗により金属原子が電流の流れる方向へ移動する現象です。

• 国際電子デバイス会議（IEDM）2026年12月12日〜・サンフランシスコ（米国）
• 国際信頼性物理シンポジウム（IRPS）2027年3月21日〜・サンディエゴ（米国）
• 国際メモリワークショップ（IMW）2027年5月9日〜・モントレー（米国）
• 欧州設計・自動化・テスト会議（DATE）2027年3月22日〜・ドレスデン（ドイツ）
• 欧州電子デバイス信頼性・故障物理・解析シンポジウム（ESREF）例年9月頃
• テスト・故障解析国際シンポジウム（ISTFA）例年10月頃
• 国際テスト会議（ITC）例年10月頃
• IEEEアジアテストシンポジウム（ATS）2026年12月1日〜・高雄（台湾）
• EOS/ESDシンポジウム（EOS/ESD）2027年9月19日〜・リバーサイド（米国）
• IEEE欧州テストシンポジウム（ETS）2027年5月24日〜・ロンドン（英国）
• マイクロエレクトロニクステスト構造国際会議（ICMTS）2027年4月5日〜・ウーディネ（イタリア）
• 集積回路の物理と故障解析国際シンポジウム（IPFA）例年7月頃
• IEEE原子核・宇宙放射線効果会議（NSREC）2027年7月19日〜・アトランタ（米国）
• 放射線とその部品・システムへの影響会議（RADECS）例年9月頃
• IEEE VLSIテストシンポジウム（VTS）2027年4月26日〜・ナパ（米国）
• VLSI・ナノテクノロジーの欠陥と耐故障性国際シンポジウム（DFTS）例年10月頃
• Future of Memory and Storage（FMS）例年7月頃
• オンラインテストとロバストシステム設計国際シンポジウム（IOLTS）例年7月頃
• 不揮発メモリワークショップ（NVMW）例年3月頃
• エレクトロニクス・フォトニクスパッケージ信頼性シンポジウム（REPP）2026年11月12日〜・ロサンゼルス（米国）

※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。