信頼性・メモリの学会・国際会議

TDDB（Time-Dependent Dielectric Breakdown：経時的絶縁破壊）は、ゲート絶縁膜（ゲート酸化膜やHigh-k膜）に電界をかけ続けると、ある時間が経過した後に突然絶縁性を失い破壊に至る信頼性劣化現象です。

DRAM（Dynamic Random Access Memory）は、コンデンサに電荷を蓄積することで1ビットの情報を記憶する揮発性メモリです。

NBTI（Negative Bias Temperature Instability：負バイアス温度不安定性）は、pMOSFETに負のゲート電圧を高温で印加し続けると、しきい値電圧（Vth）が時間とともに上昇し、駆動能力が低下していく信頼性劣化現象です。

ホットキャリア注入（HCI：Hot Carrier Injection）は、トランジスタのドレイン近傍の強い電界で加速された高エネルギーのキャリア（ホットキャリア）が、ゲート絶縁膜に飛び込んで界面準位やトラップを生成し、デバイス特性を経時的に劣化させる信頼性現象です。

エレクトロマイグレーション（Electromigration：EM）は、半導体チップの金属配線（主に銅）に高密度の電流が流れる際、電子の運動量移乗により金属原子が電流の流れる方向へ移動する現象です。

ATE（Automated Test Equipment：自動テスト装置）は、半導体チップの電気的特性・機能・性能を自動的かつ高速に検査する装置です。

テスト容易化設計（DFT：Design for Testability）とは、半導体チップの設計段階においてテスト効率を高めるための回路・構造をあらかじめ組み込む設計手法の総称である。

スキャンテスト（Scan Test）は、テスト容易化設計（DFT）の代表的手法で、チップ内部のフリップフロップを数珠つなぎにしてスキャンチェーンを構成し、内部の状態を外部から自由に設定（制御）・読み出し（観測）できるようにする技術です。

BIST（Built-In Self-Test：組み込み自己テスト）は、チップ内部にテスト用の回路を作り込み、テストパターンの生成と結果の判定をチップ自身が行えるようにするテスト容易化設計（DFT）技術です。

GAA（Gate-All-Around）は、トランジスタのゲート電極がチャネル（電流路）を四方向（全周）から包囲する立体的なトランジスタ構造です。

CFET（Complementary FET：相補型電界効果トランジスタ）は、NチャネルFET（NFET）とPチャネルFET（PFET）を垂直方向に積層した3次元トランジスタ構造です。

BSPD（Backside Power Delivery Network）は、半導体チップのウェハ裏面（バックサイド）から電源・グラウンド配線を供給する技術です。

3D NAND（3D NAND Flash）は、フラッシュメモリセル（NAND型）を平面ではなく垂直方向（Z軸方向）に多層積層した構造のNAND型フラッシュメモリです。

EDA（Electronic Design Automation：電子設計自動化）とは、半導体チップの設計を自動化・効率化するためのソフトウェアツール群の総称です。

ソフトエラーとは、宇宙から降り注ぐ放射線や、パッケージの材料に含まれるわずかな放射性物質から出る放射線が半導体のチップに当たり、メモリやラッチ回路に記録されていた0と1が一時的に反転してしまう誤りのことです。

ラッチアップとは、CMOS構造に寄生的に形成されるサイリスタ（pnpn構造）が意図せず導通し、電源とグラウンドの間に大電流が流れ続けて止まらなくなる現象です。

ESD耐性試験とは、静電気放電（ElectroStatic Discharge）に対するデバイスの耐性を評価する試験です。

NAND Flashは、複数のフローティングゲートトランジスタをNAND（否定論理積）接続した不揮発性半導体メモリです。

MRAM（Magnetoresistive Random-Access Memory：磁気抵抗メモリ）とは、磁性体の磁化方向によりデータを記憶する不揮発性メモリです。

ReRAM（Resistive Random Access Memory：抵抗変化メモリ）は、金属酸化物などの抵抗変化材料に電圧を加えて、高抵抗状態と低抵抗状態を切り替えることでデータを記憶する不揮発性メモリです。

故障解析（FA：Failure Analysis）とは、不良になったデバイスを解析して物理的な原因を特定し、設計・プロセス・実装のどこに問題があったかを突き止める作業です。

FIB（Focused Ion Beam：集束イオンビーム）とは、ガリウムなどのイオンを細く絞ったビームにして試料に当て、狙った場所をナノメートルの精度で削ったり、観察したり、膜を付けたりする装置と技術です。

TEM（Transmission Electron Microscopy：透過型電子顕微鏡）は、薄く加工した試料に電子線を透過させ、その透過・回折像から原子レベルの分解能で内部構造を観察する分析装置です。

OBIRCH（オバーク、Optical Beam Induced Resistance CHange）とは、チップにレーザー光を走査しながら当て、光で温められた場所の電気抵抗の変化を電流の変化として検出することで、ショート（短絡）やリーク電流の通り道など、故障の場所を特定する故障解析の手法です。

ウェハテスト（ウェハソート、プロービング工程）とは、ウェハを個々のチップに切り分ける前に、ウェハ状態のまま各ダイの電気的な良否を判定する工程です。

最終テスト（ファイナルテスト）とは、パッケージング後の製品状態で電気的特性・機能・性能を検査し、出荷可否とグレードを決定する工程です。

プローブカード（Probe Card）とは、ウェーハ上に形成された半導体チップの電極パッドに極細の金属プローブ（針）を接触させ、電気的特性を検査するためのインタフェース治具である。