ESREF(欧州電子デバイス信頼性・故障物理・解析シンポジウム)
半導体デバイスとパッケージの信頼性・故障の物理・故障解析を扱う、欧州の国際会議。
01開催概要
- 正式名称
- European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis
- 主催
- 各回の主催機関(2026年はウィーン工科大学)
- 次回の会期
- 未発表(例年9月頃)
- 開催地
- 欧州各地の持ち回り
- 例年の開催
- 9月頃・欧州各地の持ち回り
- 分野
- 信頼性・メモリ
- 格付け
- 主要国際会議欧州で毎年開かれる信頼性と故障解析の主要な国際会議。信頼性分野の最高峰はIRPSのため主要国際会議としています。格付けの決め方
- 公式サイト
- www.esref2026.org(2026/10/24 確認)
02ESREFはどんな学会か
ESREFは、電子デバイスの信頼性、故障の物理、故障解析を扱う欧州の国際会議です。毎年秋に欧州の各地で開かれ、2026年はウィーンで開かれました。
トランジスタや配線の劣化、パワーデバイスやパッケージの信頼性、故障箇所を突き止める解析の手法(FIB・発光解析など)が発表されます。車載や宇宙など、壊れることが許されない用途の発表も多い会議です。
03注目の技術
ESREFでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。
- 故障解析(FA)
故障解析(FA:Failure Analysis)とは、不良になったデバイスを解析して物理的な原因を特定し、設計・プロセス・実装のどこに問題があったかを突き止める作業です。
- FIB(集束イオンビーム)
FIB(Focused Ion Beam:集束イオンビーム)とは、ガリウムなどのイオンを細く絞ったビームにして試料に当て、狙った場所をナノメートルの精度で削ったり、観察したり、膜を付けたりする装置と技術です。
- NBTI(負バイアス温度不安定性)
NBTI(Negative Bias Temperature Instability:負バイアス温度不安定性)は、pMOSFETに負のゲート電圧を高温で印加し続けると、しきい値電圧(Vth)が時間とともに上昇し、駆動能力が低下していく信頼性劣化現象です。
- エレクトロマイグレーション
エレクトロマイグレーション(Electromigration:EM)は、半導体チップの金属配線(主に銅)に高密度の電流が流れる際、電子の運動量移乗により金属原子が電流の流れる方向へ移動する現象です。
04同じ分野の学会
学会一覧へ →- 国際電子デバイス会議(IEDM)2026年12月12日〜・サンフランシスコ(米国)
- 国際信頼性物理シンポジウム(IRPS)2027年3月21日〜・サンディエゴ(米国)
- 国際メモリワークショップ(IMW)2027年5月9日〜・モントレー(米国)
- 欧州設計・自動化・テスト会議(DATE)2027年3月22日〜・ドレスデン(ドイツ)
- テスト・故障解析国際シンポジウム(ISTFA)例年10月頃
- 国際テスト会議(ITC)例年10月頃
- IEEEアジアテストシンポジウム(ATS)2026年12月1日〜・高雄(台湾)
- EOS/ESDシンポジウム(EOS/ESD)2027年9月19日〜・リバーサイド(米国)
- IEEE欧州テストシンポジウム(ETS)2027年5月24日〜・ロンドン(英国)
- マイクロエレクトロニクステスト構造国際会議(ICMTS)2027年4月5日〜・ウーディネ(イタリア)
- IEEE集積信頼性ワークショップ(IIRW)例年10月頃
- 集積回路の物理と故障解析国際シンポジウム(IPFA)例年7月頃
- IEEE原子核・宇宙放射線効果会議(NSREC)2027年7月19日〜・アトランタ(米国)
- 放射線とその部品・システムへの影響会議(RADECS)例年9月頃
- IEEE VLSIテストシンポジウム(VTS)2027年4月26日〜・ナパ(米国)
- VLSI・ナノテクノロジーの欠陥と耐故障性国際シンポジウム(DFTS)例年10月頃
- Future of Memory and Storage(FMS)例年7月頃
- オンラインテストとロバストシステム設計国際シンポジウム(IOLTS)例年7月頃
- 不揮発メモリワークショップ(NVMW)例年3月頃
- エレクトロニクス・フォトニクスパッケージ信頼性シンポジウム(REPP)2026年11月12日〜・ロサンゼルス(米国)
※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。