NVMW（不揮発メモリワークショップ）

正式名称

Non-Volatile Memories Workshop

主催

カリフォルニア大学サンディエゴ校 CMRR・NVSL

次回の会期

未発表（例年3月頃）

開催地

米国（カリフォルニア）

例年の開催

3月頃・米国（カリフォルニア）

分野

信頼性・メモリ

格付け

専門の国際会議不揮発メモリという特定のテーマに絞って開かれている国際会議のため、専門の国際会議としています。格付けの決め方

公式サイト

nvmw.ucsd.edu（2026/10/24 確認）

• NANDフラッシュメモリ

  NAND Flashは、複数のフローティングゲートトランジスタをNAND（否定論理積）接続した不揮発性半導体メモリです。

• 3D NAND

  3D NAND（3D NAND Flash）は、フラッシュメモリセル（NAND型）を平面ではなく垂直方向（Z軸方向）に多層積層した構造のNAND型フラッシュメモリです。

• DRAM（ダイナミックRAM）

  DRAM（Dynamic Random Access Memory）は、コンデンサに電荷を蓄積することで1ビットの情報を記憶する揮発性メモリです。

• MRAM（磁気抵抗RAM）

  MRAM（Magnetoresistive Random-Access Memory：磁気抵抗メモリ）とは、磁性体の磁化方向によりデータを記憶する不揮発性メモリです。

• ReRAM（抵抗変化メモリ）

  ReRAM（Resistive Random Access Memory：抵抗変化メモリ）は、金属酸化物などの抵抗変化材料に電圧を加えて、高抵抗状態と低抵抗状態を切り替えることでデータを記憶する不揮発性メモリです。

• 国際電子デバイス会議（IEDM）2026年12月12日〜・サンフランシスコ（米国）
• 国際信頼性物理シンポジウム（IRPS）2027年3月21日〜・サンディエゴ（米国）
• 国際メモリワークショップ（IMW）2027年5月9日〜・モントレー（米国）
• 欧州設計・自動化・テスト会議（DATE）2027年3月22日〜・ドレスデン（ドイツ）
• 欧州電子デバイス信頼性・故障物理・解析シンポジウム（ESREF）例年9月頃
• テスト・故障解析国際シンポジウム（ISTFA）例年10月頃
• 国際テスト会議（ITC）例年10月頃
• IEEEアジアテストシンポジウム（ATS）2026年12月1日〜・高雄（台湾）
• EOS/ESDシンポジウム（EOS/ESD）2027年9月19日〜・リバーサイド（米国）
• IEEE欧州テストシンポジウム（ETS）2027年5月24日〜・ロンドン（英国）
• マイクロエレクトロニクステスト構造国際会議（ICMTS）2027年4月5日〜・ウーディネ（イタリア）
• IEEE集積信頼性ワークショップ（IIRW）例年10月頃
• 集積回路の物理と故障解析国際シンポジウム（IPFA）例年7月頃
• IEEE原子核・宇宙放射線効果会議（NSREC）2027年7月19日〜・アトランタ（米国）
• 放射線とその部品・システムへの影響会議（RADECS）例年9月頃
• IEEE VLSIテストシンポジウム（VTS）2027年4月26日〜・ナパ（米国）
• VLSI・ナノテクノロジーの欠陥と耐故障性国際シンポジウム（DFTS）例年10月頃
• Future of Memory and Storage（FMS）例年7月頃
• オンラインテストとロバストシステム設計国際シンポジウム（IOLTS）例年7月頃
• エレクトロニクス・フォトニクスパッケージ信頼性シンポジウム（REPP）2026年11月12日〜・ロサンゼルス（米国）

※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。