IMW 2027（国際メモリワークショップ）

正式名称

IEEE International Memory Workshop

主催

IEEE Electron Devices Society

次回の会期

2027年5月9日〜5月12日（水）（開幕まであと193日）

開催地

モントレー（米国）

例年の開催

5月頃・米国・欧州・アジアの持ち回り

分野

信頼性・メモリ

格付け

主要国際会議IEEE電子デバイスソサエティが主催するメモリのデバイス技術の主要な国際会議。メモリの最先端の成果はIEDM・VLSIでも発表されるため主要国際会議としています。格付けの決め方

公式サイト

ewh.ieee.org（2026/10/24 確認）

• DRAM（ダイナミックRAM）

  DRAM（Dynamic Random Access Memory）は、コンデンサに電荷を蓄積することで1ビットの情報を記憶する揮発性メモリです。

• 3D NAND

  3D NAND（3D NAND Flash）は、フラッシュメモリセル（NAND型）を平面ではなく垂直方向（Z軸方向）に多層積層した構造のNAND型フラッシュメモリです。

発表の多い企業

• SK hynix（SKハイニックス）
• キオクシア（Kioxia）
• Samsung Electronics（サムスン電子）

• 国際電子デバイス会議（IEDM）2026年12月12日〜・サンフランシスコ（米国）
• 国際信頼性物理シンポジウム（IRPS）2027年3月21日〜・サンディエゴ（米国）
• 欧州設計・自動化・テスト会議（DATE）2027年3月22日〜・ドレスデン（ドイツ）
• 欧州電子デバイス信頼性・故障物理・解析シンポジウム（ESREF）例年9月頃
• テスト・故障解析国際シンポジウム（ISTFA）例年10月頃
• 国際テスト会議（ITC）例年10月頃
• IEEEアジアテストシンポジウム（ATS）2026年12月1日〜・高雄（台湾）
• EOS/ESDシンポジウム（EOS/ESD）2027年9月19日〜・リバーサイド（米国）
• IEEE欧州テストシンポジウム（ETS）2027年5月24日〜・ロンドン（英国）
• マイクロエレクトロニクステスト構造国際会議（ICMTS）2027年4月5日〜・ウーディネ（イタリア）
• IEEE集積信頼性ワークショップ（IIRW）例年10月頃
• 集積回路の物理と故障解析国際シンポジウム（IPFA）例年7月頃
• IEEE原子核・宇宙放射線効果会議（NSREC）2027年7月19日〜・アトランタ（米国）
• 放射線とその部品・システムへの影響会議（RADECS）例年9月頃
• IEEE VLSIテストシンポジウム（VTS）2027年4月26日〜・ナパ（米国）
• VLSI・ナノテクノロジーの欠陥と耐故障性国際シンポジウム（DFTS）例年10月頃
• Future of Memory and Storage（FMS）例年7月頃
• オンラインテストとロバストシステム設計国際シンポジウム（IOLTS）例年7月頃
• 不揮発メモリワークショップ（NVMW）例年3月頃
• エレクトロニクス・フォトニクスパッケージ信頼性シンポジウム（REPP）2026年11月12日〜・ロサンゼルス（米国）

※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。