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CONFERENCE

ISTFA(テスト・故障解析国際シンポジウム)

半導体チップとパッケージの故障解析の手法と装置を扱う、米国で毎年開かれる国際会議と展示会。

01開催概要


正式名称
International Symposium for Testing and Failure Analysis
主催
ASM International(EDFAS)
次回の会期
未発表(例年10月頃)
開催地
米国
例年の開催
10月頃・米国
分野
信頼性・メモリ
格付け
主要国際会議米国の材料学会ASM Internationalが毎年開く、半導体の故障解析の主要な国際会議。信頼性分野の最高峰はIRPSのため主要国際会議としています。格付けの決め方
公式サイト
www.asminternational.org(2026/10/24 確認)

02ISTFAはどんな学会か


ISTFAは、半導体の故障解析を扱う国際会議です。米国の材料学会ASM Internationalの電子デバイス故障解析部会(EDFAS)が主催し、毎年秋に米国で開かれます。2026年は10月にサンアントニオで開かれました。

不良品のどこで何が壊れたかを突き止める手法(電子顕微鏡、FIB、発光解析、OBIRCHなど)と、そのための装置の発表が中心です。解析装置メーカーの展示も大きく、故障解析の技術者が多く集まります。

03注目の技術


ISTFAでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • 故障解析(FA)

    故障解析(FA:Failure Analysis)とは、不良になったデバイスを解析して物理的な原因を特定し、設計・プロセス・実装のどこに問題があったかを突き止める作業です。

  • FIB(集束イオンビーム)

    FIB(Focused Ion Beam:集束イオンビーム)とは、ガリウムなどのイオンを細く絞ったビームにして試料に当て、狙った場所をナノメートルの精度で削ったり、観察したり、膜を付けたりする装置と技術です。

  • 透過型電子顕微鏡(TEM)

    TEM(Transmission Electron Microscopy:透過型電子顕微鏡)は、薄く加工した試料に電子線を透過させ、その透過・回折像から原子レベルの分解能で内部構造を観察する分析装置です。

  • OBIRCH(レーザーによる故障箇所の特定)

    OBIRCH(オバーク、Optical Beam Induced Resistance CHange)とは、チップにレーザー光を走査しながら当て、光で温められた場所の電気抵抗の変化を電流の変化として検出することで、ショート(短絡)やリーク電流の通り道など、故障の場所を特定する故障解析の手法です。

04同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。