電子線（EB）検査装置メーカー6社
電子線（EB）検査装置は、電子ビームを用いてウェーハ上のパターン欠陥・電気的欠陥を高分解能で検出する装置です。光学式検査では捉えにくなナノメートルレベルの微細欠陥を検出でき、先端ロジック・メモリプロセスの歩留まり管理に不可欠です。KLAのVoyager™シリーズや日立ハイテクのEB検査システムが代表例です。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | KLAeSL10™ | Hermes Microvision（HMI）HMI eScan® 1100 | Applied MaterialsPrimeVision® 10 eBeam Inspection | ASMLHMI eScan 1100 | ASMLHMI eScan 600 | ASMLHMI eP5 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 方式 | — | — | 電子ビーム検査（冷陰極電界放出・反射電子検出） | マルチ電子ビーム検査（25 ビーム） | 電子ビーム検査（複数モード） | 電子ビーム CD 計測＋欠陥検出 |
| 主要用途 | 先端ロジック・DRAM・3D NAND（EUV 工程含む） | 3nm ノード以降の欠陥検査 | プロセス開発・量産の工程管理 | — | — | — |
| ビーム構成 | シングルビーム（Simul-6 収集モード・Yellowstone スキャン） | マルチビーム（25 本） | — | — | — | — |
| 特徴 | SMARTs 深層学習で欠陥とノイズを判別 | シングルビーム機比で最大 15 倍のスループット | — | — | — | — |
| 検査モード | — | — | — | — | 物理欠陥・電位コントラスト・材料コントラスト（BSE） | 物理欠陥・電位コントラスト |
1機種だけが掲載している項目（5件）
| 検出対象 | — | — | 膜中の埋もれ欠陥・深いトレンチ・パターンずれ・電気的欠陥 | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|
| スループット | — | — | — | シングルビーム比で最大 15 倍 | — | — |
| 対象ノード | — | — | — | 3nm 以降 | — | — |
| 感度 | — | — | — | — | 数 nm の物理欠陥を検出 | — |
| 画素サイズ | — | — | — | — | — | 1 nm |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
| ビーム構成 | シングルビーム（Simul-6 収集モード・Yellowstone スキャン） |
| 特徴 | SMARTs 深層学習で欠陥とノイズを判別 |
| 主要用途 | 先端ロジック・DRAM・3D NAND（EUV 工程含む） |
| ビーム構成 | マルチビーム（25 本） |
| 特徴 | シングルビーム機比で最大 15 倍のスループット |
| 主要用途 | 3nm ノード以降の欠陥検査 |
| 方式 | 電子ビーム検査（冷陰極電界放出・反射電子検出） |
| 検出対象 | 膜中の埋もれ欠陥・深いトレンチ・パターンずれ・電気的欠陥 |
| 主要用途 | プロセス開発・量産の工程管理 |
| 方式 | マルチ電子ビーム検査（25 ビーム） |
| スループット | シングルビーム比で最大 15 倍 |
| 対象ノード | 3nm 以降 |
| 方式 | 電子ビーム検査（複数モード） |
| 検査モード | 物理欠陥・電位コントラスト・材料コントラスト（BSE） |
| 感度 | 数 nm の物理欠陥を検出 |
| 方式 | 電子ビーム CD 計測＋欠陥検出 |
| 画素サイズ | 1 nm |
| 検査モード | 物理欠陥・電位コントラスト |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
6社の主要メーカー
半導体検査・計測装置の世界的リーダー。AI駆動の欠陥検出と先進データ分析により、歩留まり向上とプロセス開発を加速。
- •検査・計測装置における世界的リーダー
- •AI・データ分析を統合した先端プロセスコントロール
世界をリードする計測・検査技術のパイオニア。電子顕微鏡技術を核とした「見る・測る・分析する」の総合力で、2nm/3nm世代の先端半導体製造をサポート。
- •CD-SEM（測長SEM）で世界シェア約80%を占める圧倒的なポジション
- •2nm/3nm世代の先端プロセスに不可欠な計測技術を提供
ASMLのEUV光学系を独占供給するドイツの精密光学メーカー。EUVリソグラフィ用投影レンズ・照明光学系・ウェーハ検査用電子顕微鏡（ORION）も展開。
- •EUV露光装置用投影光学系をASMLに独占供給（戦略的不可欠パートナー）
- •半導体計測用FIB-SEMシステム（Crossbeam）で業界標準機
電子ビーム（eビーム）を用いたウェハ・マスク欠陥検査装置の専業メーカー。2016年にASMLが買収し、EUVリソグラフィ向け欠陥検出・レビュー技術を強化する役割を担う。
- •eビーム欠陥検査でトップクラスの検出感度
- •ASML傘下でEUV関連技術と密接に連携
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
EUV露光装置の唯一のグローバルサプライヤー。極紫外光リソグラフィ技術でムーアの法則を延命させ、5nm以下の先端プロセスに不可欠。
- •EUV露光装置の唯一のグローバルサプライヤー
- •High-NA EUVで8nmの解像度を実現
同じ分野の装置カテゴリ
結晶欠陥検査装置は、シリコンやSiCの基板・エピ層に含まれるCOP・転位・積層欠陥・BPD（基底面転位）といった結晶起因の欠陥を検出する装置です。
メーカー 5 社欠陥検査装置欠陥検査装置（Defect Inspection）は、ウェハ表面や内部に存在するパターン欠陥・パーティクル・スクラッチなどを光学または電子線で自動検出するシステムです。
メーカー 3 社マクロ検査装置マクロ検査装置は、ウェハ全面を低倍率で一括撮像し、レジストのコート不良・現像ムラ・スクラッチ・チッピング・ウェハエッジの異常など、比較的大きな外観不良を高速に検出する装置です。
メーカー 5 社マスク検査装置マスク検査装置（Mask Inspection）は、フォトリソグラフィで使用するフォトマスク・レチクルの欠陥・汚染を検出するシステムです。
メーカー 6 社光学式ウェーハ検査装置光学式ウェーハ検査装置は、レーザーや白色光を用いてウェーハ表面の異物・スクラッチ・結晶欠陥などを高速で検出する装置です。
メーカー 8 社異物・パーティクル検査装置異物・パーティクル検査装置は、ウェハ表面に付着した微粒子や傷をレーザー散乱光で検出し、サイズと座標をマップとして出力する装置です。
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メーカー 4 社膜厚計測装置膜厚計測装置（Thickness Metrology）は、ウェハ上に形成された薄膜の厚さや光学特性を非破壊で精密測定するシステムです。
メーカー 7 社ウェハ検査装置ウェハ検査装置（Wafer Inspection）は、ウェハ表面のパーティクル・欠陥・パターン異常を自動検出するシステムです。
メーカー 5 社