ナノシートトランジスタ（Nanosheet Transistor）とは、GAA（Gate-All-Around）FETの一形態で、水平に積層された薄い半導体チャネル（ナノシート）をゲート電極が全周から囲む構造のトランジスタです。FinFETのフィン（垂直方向の突起）から、水平方向に積層した複数のシートへと進化したもので、ナノワイヤFETの幅を広げた構造とも言えます。Samsungは同構造をMBCFET（Multi-Bridge Channel FET）、Intelはリボン型としてRibbonFETとも呼んでいます。
ナノシートトランジスタの最大の利点は、FinFETに比べてゲートのチャネル制御性が大幅に向上することです。ゲートがチャネル四方を囲むため、短チャネル効果（SCE）が抑制され、リーク電流を低減しながら高いオン電流を維持できます。さらにシートの幅（ナノシート幅）を変えることで、ロジック向け（広幅＝高性能）とSRAM・低消費電力向け（狭幅）を同一プロセスで最適化できる「チューナブル」設計が可能です。
製造上の課題は、薄いナノシート（通常5〜7nm厚）を複数枚精密に積層し、層間の犠牲層（SiGe等）を選択エッチングで除去した後にゲート金属を全周に堆積する工程（インナースペーサー形成含む）の難度です。原子層堆積（ALD）によるHigh-kゲート誘電体の均一な堆積、内側スペーサーのダメージレス成形、ソース/ドレイン部のエピタキシャル成長制御が歩留まりの鍵を握ります。
Samsungが2022年にSF3（3nmノード）でナノシートトランジスタ量産を世界初実施し、TSMCもN2（2nmノード、2025年量産予定）でGAA/ナノシートへ移行します。Intelは18AのRibbonFETで同技術を適用予定です。ナノシートトランジスタへの移行は3nm/2nm世代以降の主要なアーキテクチャトレンドとなっています。
ナノシートの次世代として、NチャネルとPチャネルのナノシートを垂直に積み重ねるCFET（Complementary FET）が研究されています。またシートとシートの間にゲート誘電体壁を設けてNFETとPFETを一体化するフォークシートトランジスタも提案されています。これらはナノシートトランジスタのスケーリング限界を超えるための次ステップとして、imec・Intel・TSMCが研究中です。