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GAAプロセスメーカー8社
GAAプロセス（Gate-All-Around Process）は、ゲート電極がトランジスタチャネルの四方を完全に囲む構造（GAA：Gate-All-Around）を形成するための製造プロセス技術です。FinFETでは1方向からしかゲートが接触しないのに対し、GAAナノシートトランジスタではゲートが全周からチャネルを制御できるため、リーク電流削減・電流駆動力向上・低電圧動作が可能になります。3nm/2nmノード以降の標準的なトランジスタ構造として全主要ファウンドリが採用しています。
メーカー 8 社関連カテゴリ 7 件
主要特徴
ゲートが4面からチャネルを囲むため FinFET比でリーク電流を大幅削減
SiGeサクリファイシャル層のエピ成長→選択エッチングでナノシートを形成
シートの枚数・幅・厚みで電流特性をチューニング可能（デザイン自由度高）
Samsung SF3が2022年に初量産、TSMCはN2世代（2025年）でGAA採用
ALD・原子層エッチング（ALE）・選択エピが核心プロセス装置
よくある質問
メーカー
8社の主要メーカー
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関連用語
比較・違いを学ぶ
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