B1505A パワーデバイスアナライザ/カーブトレーサ
サブ pA から 10kV・1,500A までのパワーデバイスの特性を 1 台で評価するパワーデバイスアナライザ。
B1505A パワーデバイスアナライザ/カーブトレーサとは
B1505A は、Keysight のパワーデバイスアナライザ/カーブトレーサです。サブ pA のレベルから 10kV・1,500A まで、パワーデバイスの特性を 1 台で評価できる装置で、IGBT のほか GaN・SiC の新しいデバイスの評価に使われます。
10 スロットのモジュール式メインフレームに、高電圧 SMU、大電流 SMU、超大電流モジュール、超高電圧モジュール、高電圧中電流モジュール、容量測定ユニット(1kHz〜5MHz)などを組み合わせて構成します。10µs までのパルス測定と µΩ のオン抵抗測定に対応します。
最大 3,000V の DC バイアスでの Ciss・Coss・Crss などの容量の自動測定、パッケージ品とウェーハ上の IGBT・FET のゲート電荷測定、GaN の電流コラプスを評価する高速スイッチオプションを備えます。−50〜+250℃ の温度特性評価も自動で行えます。
主な特長
- •サブ pA から 10kV・1,500A までを 1 台で評価
- •最大 3,000V バイアスでの容量の自動測定とゲート電荷測定
- •10µs パルス測定と µΩ のオン抵抗測定
- •−50〜+250℃ の自動温度特性評価
主な仕様
| 評価範囲 | サブ pA 〜 10 kV・1,500 A |
|---|---|
| 最小電流分解能 | 10 fA |
| スロット数 | 10 |
| パルス測定 | 10 µs まで |
| 温度試験 | −50 〜 +250 ℃(自動) |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •IGBT・パワー MOSFET の静特性評価
- •SiC・GaN デバイスの開発・特性評価
掲載カテゴリ
B1505A パワーデバイスアナライザ/カーブトレーサは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
Keysight Technologies
HP/Agilent の計測部門を源流とする米国の電子計測大手。半導体パラメトリックテスタ、デバイスアナライザ、ネットワークアナライザなど、デバイス特性評価と高周波測定の標準機を供給する。
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関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-19