パワーデバイステスターメーカー3社
パワーデバイステスターは、MOSFET・IGBT・ダイオードなどのパワーデバイスの電気特性を測る装置です。耐圧・リーク電流・オン抵抗・しきい値電圧・容量などを測る静特性の評価と、実際のスイッチング動作を再現してターンオン・ターンオフ時間、スイッチング損失、逆回復特性を測る動特性の評価に分かれます。SiCやGaNのワイドバンドギャップデバイスは高電圧・高速でスイッチングするため、kV級の電圧とkA級のパルス電流、ナノ秒単位の測定が求められます。
主要特徴
よくある質問
静特性と動特性の違いは何ですか?▾
ダブルパルス試験とは何ですか?▾
スペック比較
このページの機種は種類が異なります。まず種類で絞り込み、同じ種類の機種どうしを比較してください。
| 種類 | メーカー | 型番 | 主要用途 |
|---|---|---|---|
| 静特性評価 | Keysight Technologies | B1505A パワーデバイスアナライザ/カーブトレーサ | — |
| 動特性評価 | Keysight Technologies | PD1500A ダイナミックパワーデバイスアナライザ | — |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
B1505A パワーデバイスアナライザ/カーブトレーサ
サブ pA から 10kV・1,500A までのパワーデバイスの特性を 1 台で評価するパワーデバイスアナライザ。
| 評価範囲 | サブ pA 〜 10 kV・1,500 A |
| 最小電流分解能 | 10 fA |
| スロット数 | 10 |
| パルス測定 | 10 µs まで |
| 温度試験 | −50 〜 +250 ℃(自動) |
PD1500A ダイナミックパワーデバイスアナライザ
ダブルパルス試験で SiC・GaN などのパワーデバイスの動特性を評価するダイナミックパワーデバイスアナライザ。
| 最大出力電圧 | 1,200 V |
| 最大出力電流 | 200 A |
| 試験方式 | ダブルパルス試験 |
| 測定項目 | ターンオン・ターンオフ・スイッチング・動的オン抵抗・ゲート電荷・逆回復 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
3社の主要メーカー
HP/Agilent の計測部門を源流とする米国の電子計測大手。半導体パラメトリックテスタ、デバイスアナライザ、ネットワークアナライザなど、デバイス特性評価と高周波測定の標準機を供給する。
- •半導体パラメトリック計測の事実上の標準
- •高周波・高速デジタル計測に強み
ディスクリート半導体・パワーデバイス向けのテスタとテストハンドラを手掛けるメーカー。測定器とハンドラを組み合わせたテストシステムとして供給する。
- •ディスクリート・パワーデバイスのテストに特化
- •テスタとハンドラを自社で組み合わせて提供
台湾の計測・自動テスト装置メーカー。SoCテスタ、パワーデバイス用テスタ、バーンインシステム、LED/光電子デバイス検査装置まで幅広く手掛ける。
- •パワー半導体向けテスタに強み
- •テスタとバーンインシステムを一体で提供
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