Verdict結論
NOR Flash與NAND Flash最大的差異在於「記憶單元的連接方式與存取單位」。NOR將單元並聯，可直接存取位元線，約100ns即可完成以位元組為單位的隨機讀取，最適合微控制器韌體的直接執行（XiP）。NAND將單元串聯，以頁為單位（256Byte～16KB）存取，因此隨機讀取較慢（～25μs/頁），但憑藉高密度、大容量與高速的頁寫入，成為SSD與手機儲存的主角。
主要差異
| 比較項目 | NOR Flash | NAND Flash |
|---|---|---|
| 單元連接方式 | 單元並聯（NOR邏輯）→可直接存取位元線 | 單元串聯（NAND邏輯）→以頁為單位存取 |
| 隨機讀取 | 快速、以位元組為單位（匯流排存取時間：~100ns） | 慢、以頁為單位（~25μs/頁） |
| 寫入速度 | 慢（以位元組、字組為單位） | 快（以頁為單位：256Byte～16KB） |
| 抹除單位 | 以磁區為單位（64KB～512KB） | 以區塊為單位（128KB～4MB） |
| 寫入耐久度 | 高（10萬～100萬次） | 中等（SLC：10萬次，TLC：1000～3000次） |
| 位元單價・密度 | 昂貴、低密度（最大也只有數Gb左右） | 便宜、高密度（數GB～數TB） |
| 主要用途 | MCU、IoT裝置的韌體儲存、程式碼儲存（XiP） | SSD、eMMC、UFS、USB隨身碟、智慧型手機儲存裝置 |
| 主要廠商 | 華邦電（Winbond）、旺宏（Macronix）、Microchip | 三星、鎧俠（Kioxia）、SK海力士、美光（Micron）、Western Digital |
XiP（eXecute in Place）與NOR Flash的優勢
NOR Flash最大的優勢在於「XiP（eXecute in Place）」功能，CPU可像存取ROM一樣直接指定位址讀出程式碼並執行。微控制器（MCU）、汽車ECU、工業控制設備、醫療設備會將韌體存放在NOR Flash中，系統啟動後無需將程式碼複製到RAM即可直接執行。如此可縮短開機時間並節省RAM容量，是資源受限的嵌入式系統不可或缺的特性。
NAND Flash的演進：3D NAND・TLC/QLC
NAND Flash從2D（平面）轉向3D（垂直堆疊）結構，使位元單價快速下降。目前的3D NAND由堆疊128～300層以上的單元構成，每1顆晶片可實現超過1Tb的容量。依單元的訊號狀態數可分為SLC（1bit）、MLC（2bit）、TLC（3bit）、QLC（4bit），QLC NAND可為SSD實現低成本大容量，但寫入耐久度較低。2D與3D NAND的詳細內容請參閱2D NAND與3D NAND的差異（堆疊結構、成本與可靠度比較），NAND與DRAM的比較請參閱NAND與DRAM的差異是什麼｜速度、用途與製造製程全面比較。
常見問題
NOR Flash與NAND Flash最大的差異是什麼？
兩者的連接方式與擅長的操作不同。NOR Flash的單元為並聯，透過位址指定的隨機位元組存取速度快，最適合程式碼的直接執行（XiP）。NAND Flash的單元為串聯，具備高密度、低成本與高速頁寫入的特性，因此用於大容量儲存（SSD、eMMC等）。
MCU（微控制器）使用哪一種快閃記憶體？
大多數MCU都內建NOR Flash。憑藉NOR的XiP特性，MCU在重置後即可直接執行快閃記憶體中的程式碼，不需花時間將程式碼複製到RAM。另一方面，搭載OS的IoT裝置（Raspberry Pi等）則使用NAND Flash（eMMC、UFS）。
NOR Flash今後還會持續使用嗎？
會的。在車用、工業、醫療等嵌入式領域，NOR Flash因可靠度、長壽命與XiP特性，仍將持續扮演重要角色。不過MRAM等非揮發性記憶體技術以低功耗、高寫入耐久度為優勢，正被研究作為NOR的替代方案，是中長期值得關注的競爭技術。
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