NOR 型快閃記憶體是快閃記憶體的一種，藉由將記憶單元以並聯（NOR 連接）配置，可進行隨機存取（以位元組為單位直接讀取）。與 NAND 快閃記憶體相比，在容量與成本方面較差，但最大特徵是能進行 XIP（eXecute In Place：在記憶體上直接執行程式）。基於此特性，廣泛用於微控制器的開機程式碼儲存、BIOS／韌體儲存以及車用 ECU 程式保存。
以下整理 NOR 快閃記憶體與 NAND 快閃記憶體的主要差異。存取方式：NOR 可隨機存取（支援 XIP），NAND 以頁為單位循序存取。讀取速度：NOR 較快（30～50ns），NAND 較慢（微秒等級）。容量與成本：NAND 在高積體度與低成本方面占壓倒性優勢。抹除單位：NOR 為扇區（64KB～），NAND 為區塊（256KB～）。用途：NOR 用於程式碼儲存與開機裝置，NAND 用於資料儲存（SSD・手機儲存）。
NOR 快閃記憶體的主要市場是車用、工業設備與物聯網。每1台汽車的 NOR 快閃記憶體搭載量持續增加，ADAS（先進駕駛輔助系統）的 ECU 開機需要高速、高可靠度的 NOR。車規級 NOR（符合 AEC-Q100、-40～125℃ 運作、長期供貨保證）由華邦電（Winbond）、旺宏（Macronix）、Microchip、Spansion（現英飛凌）供應，形成不同於通用 NAND 的穩定市場。
NOR 快閃記憶體的製造技術不像 NAND 那樣微縮競爭激烈，以 55nm～28nm 的成熟製程為主流。在可靠度要求高的用途中，每1個單元存1bit 的 SLC 是標準，改寫次數方面，NAND TLC 為數百～1000 次，NOR 則保證 10萬次以上。製造設備以 DUV 曝光機（i-line・KrF）、CVD、離子佈植為主，不需要先進的 EUV 設備，因此資本支出得以壓低。
NOR 快閃記憶體市場的關注焦點是 AI on Device 的進展。在邊緣 AI 裝置中，除了 FPGA 與 MCU 的開機流程會使用 NOR 之外，也需要可承受頻繁改寫、用於 AI 模型差分更新（Over-the-Air：OTA）的 NOR。此外，將其作為嵌入式 NOR（eNOR）整合進先進邏輯製程的做法也在研究中，有助於物聯網用 SoC 的單晶片化。