銅柱凸塊（Cu Pillar Bump）是覆晶封裝所使用的一種電性連接結構，在晶片上的焊墊以電解Cu電鍍形成柱狀（pillar）的銅，再於其上方覆蓋焊料（SnAg）。相較於傳統的C4焊料凸塊（整體為焊料合金），Cu柱的機械剛性高，可實現細間距化、高電流密度化與低電感化。
Cu柱凸塊的優點包括：①間距微縮：在沒有焊料橋接風險的情況下實現40μm以下的間距（C4約以150μm為極限）；②電氣特性：Cu的低電阻、低電感有利於高速訊號傳輸；③電流密度：抗電遷移能力高於單純SnAg；④高度精度：Cu柱的高度均勻性優於純焊料。
Cu柱凸塊的形成製程依序為：①TiCu晶種層濺鍍→②厚膜光阻圖案化（柱狀開口）→③Cu電解電鍍（柱體部分）→④SnAg電解電鍍（蓋帽部分）→⑤光阻剝除→⑥晶種層蝕刻→⑦回焊（使焊料成為球狀）。電鍍均勻性（晶圓內、晶圓間）的控制左右最終的接合可靠度。
Cu柱凸塊廣泛用於小晶片封裝、HBM堆疊與CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）。在HBM堆疊中，DRAM晶粒與邏輯晶粒之間以Cu柱＋微凸塊（數十μm間距）連接。隨著進一步微縮（10μm以下間距）逐漸逼近極限，轉向無焊料Cu混合鍵合的趨勢正在加速。
Cu柱凸塊的檢測與量測方式包括X光CT（內部結構、孔洞檢測）、SEM-EDX（截面分析）、紅外線熱像（接合部電阻檢測）。接合可靠度試驗（溫度循環試驗、電遷移試驗）的資料累積與標準化，也是業界的課題。